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全球NAND Flash(储存型快闪记忆体)供给成长持续大于需求，预估NAND Flash今年底报价将较去年跌掉三成，且跌势恐将一直延续至2018年。
市调机构IHS iSuppli最新报告预测，NAND Flash今年底报价将跌至0.49美元每GB，远低于去年的0.71美元，预估2018年将进一步跌至0.14美元，其间年复合成长率为负的28%。
NAND Flash产出过多是导致价格崩跌的主因，若以1 GB等量单位计算，IHS iSuppl估计，2018年NAND Flash产出将自2013年的355亿单位成长成长5.7倍至2,036亿单位，预料将掀起价格战。
据南韩联合通讯社(Yonhap)报导，三星斥资70亿美元在大陆西安设置的V-NAND Flash厂已在5月开始投产，至于在后追赶的东芝(Toshiba)最近也宣布了60亿美元V-NAND Flash的扩厂计划。
以NAND flash市占率来看，三星以37.4%居全球之首，东芝、美光与海力士(SK Hynix)依序分别为31.9%、20.1%与10.6%。
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