×
近日，在2018松山湖﹒中国IC创新高峰论坛中，来自普冉半导体（Puya）总经理王楠介绍了公司最新推出的业界最低功耗、全电压范围、面向物联网应用的QSPI Flash存储器P25Q32U。
普冉半导体（Puya）总经理王楠
王楠表示，公司定位是利基市场存储器，目前主要覆盖三方面产品，包括超低功耗SPI Flash，串行EEPROM以及面向金融高安全Flash。
王楠认为，随着IoT市场的发展，智能硬件智能家居市场以及手机的3D结构光市场需求大幅攀升，对于内部Flash提出了更高要求，包括更低功耗、宽电压范围、灵活的操作模式、高可靠性以及更低成本等五大要求。
普冉最新的P25Q32U超低功耗全电压Flash正是基于满足以上要求所设计的。该产品是产业界第一颗采用Charge Trapping技术的55nm 32Mb Flash，Diesize仅为3.1mm2，工作电压为1.6V-3.6V，休眠功耗为100nA@120MHz，完全符合IoT市场的低功耗，高灵活性等需求。
最重要的改进就是工艺，从传统浮栅结构变为Charge Trapping结构，更加简单、擦除电压更低，同时提高了本征良率。
普冉微电子的Charge Trapping与传统ETOX工艺区别，栅极结构更简单，擦除相对容易
而在产品架构设计上，整个Flash围绕着Ono和Charge Trapping技术，采用自适应电压管理系统，以及线性技术化高压控制，可以把之前分立系统转换成线性，从而实现输出为零的ripple。
王楠表示，P25Q系列产品组合从1Mb到32Mb，目前累计出货量达3亿颗，被广泛用于NB-IoT、蓝牙、电网、可穿戴及手机等领域。
“P25Q系列和嵌入式Nor在产品规格上完全兼容，同时又有更低的功耗，其目标就是在低功耗应用中取代传统的Nor存储。”王楠说道。
『本文转载自网络,版权归原作者所有,如有侵权请联系删除』
热门文章
更多
华邦全新QspiNAND Flash赋能NB-IoT
APP下载
登录
