浪涌控制:如何通过抑制因子减少寄生效应?
西安变电站“炸伤”三星工厂 或波及闪存芯片市场 6月18日.西安长安区变电站起火爆炸.三星位于西安的半导体工厂成为[最受伤"的公司. 据韩国朝鲜日报报道.西安变电站爆炸引起的停电.让位于西安的三星半导体工厂流水线意外停产.[据三星电子估算.由于生
手机闪存到底有多重要,你知道吗? 最近几天突然有两个陌生的词语进入了网友的视野:UFS 2.1和eMMC 5.1.关于这两种闪存的读写速度成为大家关注的焦点.对于这一现象笔者也是相当欣慰.本站的长期读者应该知道.手机闪存读写成绩一直都是我们评测中非
高清监控存储方案技术的实现 实现高清存储的关键因素 为了更好地实现高清监控.需要存储技术从容量.性能.应用响应.结构适应等几个方面去做匹配. 其一.面对高清监控更宽的数据传输带宽和更大的存储容量要求.存储产品需要更大的容量和
东芝在闪存峰会上展示最新NAND和存储产品 东京-东芝公司 (TOKYO:6502)今天宣布.该公司在闪存峰会(Flash Memory Summit)上展示其最新的NAND闪存和存储产品.闪存峰会是全球最大的闪存讨论会.于8月5至7日在美国加州圣塔克拉拉市的圣塔克拉拉会议中心(S
IC Insights:NAND与DRAM朝3D发展 随着 DRAM 和 NAND 技术持续迈向更先进几何制程与多层次记忆体的道路.IC Insights密切观察有关 DRAM 和 NAND 供应商的最新动态.期望能提供更清楚的 DRAM / NAND发展蓝图. 在2014年中期.制造 NAND 快闪记忆体
提供沉浸式驾驶舱体验 美光推出汽车级UFS产品组合 多种容量选择的Micron® UFS 2.1 托管型 NAND.提供超快速启动和可靠性美光科技股份有限公司发布针对汽车应用的新型 UFS 2.1 托管型NAND 产品.该产品组合满足了车载信息娱乐系统和仪表板对快速系统启动和更高带宽的
数Gbps存储器接口架构的设计挑战及解决方案 数Gbps存储器接口架构的设计挑战及解决方案-游戏机.数字电视(DTV)和个人电脑等流行的消费类电子产品的功能越来越多.性能也越来越高.这些产品数据处理能力的增强使它们的DRAM存储器接口功能与产品本身的功能紧密联系在一起.以支持更多功能和更高性能.数据速率达数Gbps的存储器接口架构可以帮助这些产品实现所需的功能和性能.但是存储器接口设计必须克服艰巨的挑战才能达到想要的产品性能和质量.