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26.1 初学者重要提示
学习本章节前，务必优先学习第25章，了解TCM，SRAM等五块内存区的基础知识，比较重要。
本章的管理方式比较容易实现，仅需添加一个分散加载文件即可，对应的分散加载内容也比较好理解。
26.2 MDK分散加载方式管理多块内存区方法
默认情况下，我们都是通过MDK的option选项设置Flash和RAM大小：
这种情况下，所有管理工作都是编译来处理的。针对这个配置，在路径ProjectMDK-ARM(uV5)Objects（本教程配套例子的路径）里面会自动生成一个后缀为sct的文件output.sct。文件名由下面这个选项决定的：
output.sct文件生成的内容如下：
; *************************************************************
; *** Scatter-Loading Description File generated by uVision ***
; *************************************************************
LR_IROM1 0x08000000 0x00200000 { ; load region size_region
ER_IROM1 0x08000000 0x00200000 { ; load address = execution address
*.o (RESET, +First)
*(InRoot$$Sections)
.ANY (+RO)
.ANY (+XO)
}
RW_IRAM1 0x20000000 0x00020000 { ; RW data
.ANY (+RW +ZI)
}
}
不方便用户将变量定义到指定的CCM 或者SDRAM中。而使用__attribute__指定具体地址又不方便管理。
针对这种情况，使用一个脚本文件即可解决，脚本定义如下：
LR_IROM1 0x08000000 0x00200000 { ; load region size_region
ER_IROM1 0x08000000 0x00200000 { ; load address = execution address
*.o (RESET, +First)
*(InRoot$$Sections)
.ANY (+RO)
}
; RW data - 128KB DTCM
RW_IRAM1 0x20000000 0x00020000 {
.ANY (+RW +ZI)
}
; RW data - 512KB AXI SRAM
RW_IRAM2 0x24000000 0x00080000 {
*(.RAM_D1)
}
; RW data - 128KB SRAM1(0x30000000) + 128KB SRAM2(0x3002 0000) + 32KB SRAM3(0x30040000)
RW_IRAM3 0x30000000 0x00048000 {
*(.RAM_D2)
}
; RW data - 64KB SRAM4(0x38000000)
RW_IRAM4 0x38000000 0x00010000 {
*(.RAM_D3)
}
}
同时配置option的链接选项使用此分散加载文件：
使用方法很简单，依然是使用__attribute__，但是不指定具体地址了，指定RAM区，方法如下，仅需加个前缀即可：
/* 定义在512KB AXI SRAM里面的变量 */
__attribute__((section (".RAM_D1"))) uint32_t AXISRAMBuf[10];
__attribute__((section (".RAM_D1"))) uint16_t AXISRAMCount;
/* 定义在128KB SRAM1(0x30000000) + 128KB SRAM2(0x30020000) + 32KB SRAM3(0x30040000)里面的变量 */
__attribute__((section (".RAM_D2"))) uint32_t D2SRAMBuf[10];
__attribute__((section (".RAM_D2"))) uint16_t D2SRAMount;
/* 定义在64KB SRAM4(0x38000000)里面的变量 */
__attribute__((section (".RAM_D3"))) uint32_t D3SRAMBuf[10];
__attribute__((section (".RAM_D3"))) uint16_t D3SRAMCount;
26.3 MDK分散加载文件解读
这里将分散加载文件的内容为大家做个解读，方便以后自己修改：
1. LR_IROM1 0x08000000 0x00200000 { ; load region size_region
2. ER_IROM1 0x08000000 0x00200000 { ; load address = execution address
3. *.o (RESET, +First)
4. *(InRoot$$Sections)
5. .ANY (+RO)
6. }
7.
8. ; RW data - 128KB DTCM
9. RW_IRAM1 0x20000000 0x00020000 {
10. .ANY (+RW +ZI)
11. }
12.
13. ; RW data - 512KB AXI SRAM
14. RW_IRAM2 0x24000000 0x00080000 {
15. *(.RAM_D1)
16. }
17.
18. ; RW data - 128KB SRAM1(0x30000000) + 128KB SRAM2(0x3002 0000) + 32KB SRAM3(0x30040000)
19. RW_IRAM3 0x30000000 0x00048000 {
20. *(.RAM_D2)
21. }
22.
23. ; RW data - 64KB SRAM4(0x38000000)
24. RW_IRAM4 0x38000000 0x00010000 {
25. *(.RAM_D3)
26. }
27. }
第1 – 2行，LR_IROM1是Load Region加载域，ER_IROM1是Execution Region执行域。首地址都是0x0800 0000，大小都是0x0020 0000，即STM32H7的Flash地址和对应大小。
加载域就是程序在Flash中的实际存储，而运行域是芯片上电后的运行状态，通过下面的框图可以有一个感性的认识：
通过上面的框图可以看出，RW区也是要存储到ROM/Flash里面的，在执行映像之前，必须将已初始化的 RW 数据从 ROM 中复制到 RAM 中的执行地址并创建ZI Section（初始化为0的变量区）。
第3行的*.o (RESET, +First)
在启动文件startup_stm32h743xx.s有个段名为RESET的代码段，主要存储了中断向量表。这里是将其存放在Flash的首地址。
第4行的*(InRoot$$Sections)
这里是将MDK的一些库文件全部放在根域，比如__main.o, _scatter*.o, _dc*.o。
第5行.ANY (+RO)
将目标文件中所有具有RO只读属性的数据放在这里，即ER_IROM1。
第9-11行，RW_IRAM1是执行域，配置的是DTCM，首地址0x2000 0000，大小128KB。
将目标文件中所有具有RW和ZI数据放在这里。
第14-16行，RW_IRAM2是执行域，配置的是AXI SRAM，首地址0x24000000，大小512KB。
给这个域专门配了一个名字 .RAM_D1。这样就可以通过__attribute__((section("name")))将其分配到这个RAM域。
第19-21行，RW_IRAM3是执行域，配置的是D2域的SRAM1，SRAM2和SRAM3，首地址0x30000000，共计大小288KB。给这个域专门配了一个名字 .RAM_D2。这样就可以通过__attribute__((section("name")))将其分配到这个RAM域。
第24-26行，RW_IRAM3是执行域，配置的是D3域的SRAM4，首地址0x38000000，共计大小64KB。给这个域专门配了一个名字 .RAM_D3。这样就可以通过__attribute__((section("name")))将其分配到这个RAM域。
26.4 IAR的ICF文件设置
IAR相比MDK的设置要简单一些，仅需在IAR的配置文件stm32h743xx_flash.icf中添加如下代码即可：
define region RAM_D1_region = mem:[from 0x24000000 to 0x24080000];
define region RAM_D2_region = mem:[from 0x30000000 to 0x30048000];
define region RAM_D3_region = mem:[from 0x38000000 to 0x38010000];
place in RAM_D1_region {section .RAM_D1};
place in RAM_D2_region {section .RAM_D2};
place in RAM_D3_region {section .RAM_D3};
用户的使用方法如下：
/* 定义在512KB AXI SRAM里面的变量 */
#pragma location = ".RAM_D1"
uint32_t AXISRAMBuf[10];
#pragma location = ".RAM_D1"
uint16_t AXISRAMCount;
/* 定义在128KB SRAM1(0x30000000) + 128KB SRAM2(0x30020000) + 32KB SRAM3(0x30040000)里面的变量 */
#pragma location = ".RAM_D2"
uint32_t D2SRAMBuf[10];
#pragma location = ".RAM_D2"
uint16_t D2SRAMount;
/* 定义在64KB SRAM4(0x38000000)里面的变量 */
#pragma location = ".RAM_D3"
uint32_t D3SRAMBuf[10];
#pragma location = ".RAM_D3"
uint16_t D3SRAMCount;
26.5 实验例程说明（MDK）
配套例子：
V7-005_TCM，SRAM等五块内存的超方便使用方式
实验目的：
学习TCM，SRAM等五块内存的超方便使用方式。
实验内容：
启动自动重装软件定时器0，每100ms翻转一次LED2。
实验操作：
K1键按下，操作AXI SRAM。
K2键按下，操作D2域的SRAM1，SRAM2和SRAM3。
K3键按下，操作D3域的SRAM4。
上电后串口打印的信息：
波特率 115200，数据位 8，奇偶校验位无，停止位 1
程序设计：
系统栈大小分配：
RAM空间用的DTCM：
硬件外设初始化
硬件外设的初始化是在 bsp.c 文件实现：
/*
*********************************************************************************************************
* 函 数 名: bsp_Init
* 功能说明: 初始化所有的硬件设备。该函数配置CPU寄存器和外设的寄存器并初始化一些全局变量。只需要调用一次
* 形 参：无
* 返 回 值: 无
*********************************************************************************************************
*/
void bsp_Init(void)
{
/* 配置MPU */
MPU_Config();
/* 使能L1 Cache */
CPU_CACHE_Enable();
/*
STM32H7xx HAL 库初始化，此时系统用的还是H7自带的64MHz，HSI时钟:
- 调用函数HAL_InitTick，初始化滴答时钟中断1ms。
- 设置NVIV优先级分组为4。
*/
HAL_Init();
/*
配置系统时钟到400MHz
- 切换使用HSE。
- 此函数会更新全局变量SystemCoreClock，并重新配置HAL_InitTick。
*/
SystemClock_Config();
/*
Event Recorder：
- 可用于代码执行时间测量，MDK5.25及其以上版本才支持，IAR不支持。
- 默认不开启，如果要使能此选项，务必看V7开发板用户手册第xx章
*/
#if Enable_EventRecorder == 1
/* 初始化EventRecorder并开启 */
EventRecorderInitialize(EventRecordAll, 1U);
EventRecorderStart();
#endif
bsp_InitKey(); /* 按键初始化，要放在滴答定时器之前，因为按钮检测是通过滴答定时器扫描 */
bsp_InitTimer(); /* 初始化滴答定时器 */
bsp_InitUart(); /* 初始化串口 */
bsp_InitExtIO(); /* 初始化FMC总线74HC574扩展IO. 必须在 bsp_InitLed()前执行 */
bsp_InitLed(); /* 初始化LED */
}
MPU配置和Cache配置：
数据Cache和指令Cache都开启。
AXI SRAM的MPU属性：
Write back, Read allocate，Write allocate。
FMC的扩展IO的MPU属性：
必须Device
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