通过 IAP，用户可以使用片内Flash 作为非易失性数据存储器，存储一些设备的配置信息。这样不仅可以节约成本，而且还可以减小线路板的面积。

利用IAP 将Flash 作为数据存储器时，用户需要控制自身代码量的大小及代码定位。绝对不能够出现Flash 数据区和Flash 代码区重叠的现象。因为在利用IAP 向片内Flash 存储器写入数据时，需要对数据扇区进行擦除。如果数据区和代码区重合，就有可能会破坏系统的代码空间，造成系统死机或崩溃。

一、编程片内Flash 的步骤

使用 IAP 函数对片内Flash 执行编程操作时，需要按以下步骤进行操作。

（1）确定参数

在使用 IAP 代码之前，需要定义一些常量，如系统时钟、IAP 函数入口、IAP 入口缓冲区和出口缓冲区等。

（2）选择扇区

对某一个扇区执行擦除、写入等操作之前，必须先选择该扇区。但也可以一次选择多个扇区。

（3）擦除扇区

同其它的 Flash 芯片一样，LPC2300 的片内Flash 在写入数据前也需要执行擦除操作。

不过这一步是可选的。如果目标区域已经被擦除了，那么就不必重复擦除，直接写入数据即可。擦除操作一次可以擦除多个扇区。

（4）编程Flash

以上几步执行完毕后，就可以编程Flash 了。执行编程扇区的操作时，IAP 函数会将RAM中的数据拷贝到Flash 中，此时有几个限制：

1.Flash 的目标地址必须是256 字节对齐，即目标地址[7：0]为0，如下图所示；

2.RAM 数据区的源地址必须字对齐，即起始地址[1：0]为0，如下图所示；

3.源数据区必须是局部总线上的 SRAM，不能使用通用USB SRAM 和以太网SRAM；

4.一次写入的字节数固定：256、512、1024 或者4096。

（5）校验数据

IAP 代码还为用户提供了一个数据校验的手段，这样用户就可以不必自己动手来校验写入Flash 中的数据是否正确。用户需要提供目标地址、源地址和比较字节的个数。注意：源地址、目的地址和比较字节的个数都必须是字对齐。

二、程序主体

在这个程序中，我们向扇区7 写入512 个字节的数据。

                           主程序代码

#define DestAddr 0x00007000 // 扇区7 的起始地址

/******************************************************************************************

** 函数名称：main

** 函数功能：数据存储解决方案。

******************************************************************************************/

int main (void)

{

__align(4) uint8 SendData[512]; // 定义变量区

uint32 i;

for(i = 0; i < 512; i++) // 初始化变量区数据

{

SendData[i] = i;

}

SelSector(7, 7); // 选择扇区

EraseSector(7,7); // 擦除扇区

SelSector(7, 7); // 选择扇区

RamToFlash(DestAddr, (uint32)SendData, 512); // 写数据到FLASH

while(1);

return 0;

}

三、IAP读操作

很多资料只有写，没有读操作。写Flash必须用IAP命令，从Flash中读取数据不需要使用IAP命令，直接通过指针读Flash绝对地址里的数据即可。

volatile const unsigned char *pucdata;

unsigned char ucData = 0;

pucdata = (volatile unsigned int *) 0x00000254;

ucData = * pucdata;

通过以上语句即可将0x00000254地址的数据读取到变量ucData中。