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使用STM32cubeMX的库读写FLASH数据

发布时间:2020-08-28 发布时间:
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前言

做项目时有时候需要对一些数据进行掉电可存储,一般来说可以把这些数据存储到到EEPROM或FLASH,这次项目中我使用到的芯片是STM32F051C8T6,只有64KB的FLASH,没有EEPROM。这个时候就需要考虑FLASH的读写操作。

STM32CubeMX

什么是STM32CubeMX?

STM32CubeMX是以HAL库为基础,进行上层的硬件和软件框架设计的图形化软件配置工具,使用图形化向导生成C初始化代码,可以根据设计生成硬件管脚定义及软件BSP工程包,支持IAR-ARM、MDK-ARM、Ac6等IDE开发环境。

下载地址点击这里。

这次项目使用的是STM32F051+STM32CubeMX+keil 5开发。

FLASH读写流程

首先简要写一下FLASH的读写流程

  • 对FLASH写入数据

  1. 解锁FLASH

  2. 擦除FLASH

  3. 写入数据到FLASH

  4. 锁住FLASH

  • FLASH读取数据 
    直接读取相应的FLASH地址即可

  • 这是我使用STM32CubeMX的HAL FLASH库的流程,其他STM32库可能有所差异,但是肯定有解锁、擦除、写入、上锁这几个步骤的。

    FLASH读写代码示例

    下面放上代码清单和测试流程

    uint32_t writeFlashData = 0x55555555;

    uint32_t addr = 0x08007000;


    //FLASH写入数据测试

    void writeFlashTest(void)

    {

        //1、解锁FLASH

      HAL_FLASH_Unlock();


        //2、擦除FLASH

        //初始化FLASH_EraseInitTypeDef

        FLASH_EraseInitTypeDef f;

        f.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES;

        f.PageAddress = addr;

        f.NbPages = 1;

        //设置PageError

        uint32_t PageError = 0;

        //调用擦除函数

        HAL_FLASHEx_Erase(&f, &PageError);


        //3、对FLASH烧写

        HAL_FLASH_Program(TYPEPROGRAM_WORD, addr, writeFlashData);


        //4、锁住FLASH

      HAL_FLASH_Lock();

    }


    //FLASH读取数据测试

    void printFlashTest(void)

    {

      uint32_t temp = *(__IO uint32_t*)(addr);


        printf("addr:0x%x, data:0x%x\r\n", addr, temp);

    }


    之后在主函数里添加下面测试流程:

    void main(void)

    {

        //flash TEST

        writeFlashData = 0x55555555;

        writeFlashTest();

        printFlashTest();

        writeFlashData = 0xaaaaaaaa;

        writeFlashTest();

        printFlashTest();

        while(1);

    }


    设置好串口,打印

    addr:0x8007000, data:0x55555555

    addr:0x8007000, data:0xaaaaaaaa

    成功!

    其中比较特殊的是擦除步骤,需要定义个FLASH_EraseInitTypeDef的数据,FLASH_EraseInitTypeDef有三个成员:TypeErase、PageAddress和NbPages。

    其中,TypeErase有两个选项,页擦除和块擦除:

    #define FLASH_TYPEERASE_PAGES     ((uint32_t)0x00)  /*!

    #define FLASH_TYPEERASE_MASSERASE ((uint32_t)0x01)  /*!

    PageAddress是设置FLASH地址,这里为0x8007000;

    NbPages为擦除页数(块数),这里为1;

    另外还需要定义一个uint32_t变量——PageError,如果出现错误这个变量会被设置为出错的FLASH地址。

    关于0x8007000

    0x8007000是STM32的一个内存映射地址,其指向FLASH memory,如图:

    这个地址也要考虑芯片的FLASH大小,比如我这次用的芯片FLASH大小是64KB,0x0801 0000-0x0800 0000=0x10000,正好等于64KB。

    在《STM32F05x参考手册》中,我选的0x8007000是这么一个位置,是FLASH地址的最后一块扇区的起始位置。

    如果使用上面的示例代码读写FLASH不成功,也请考虑一下FLASH的大小和地址设置。



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