双方在2014年国际固态电路研讨会(International Solid-State Circuits Conference，ISSCC)上展示新产品。
 
    中国，2014年3月4日 ——法国微电子研究机构CEA-Leti与意法半导体携手展示了一个基于28纳米超薄体埋氧层(ultra-thin body buried-oxide，UTBB) FD-SOI技术的超宽电压(ultra-wide-voltage range，UWVR)数字信号处理器(digital signal processor，DSP)。
 
    该器件由意法半导体采用28纳米 UTBB全耗尽型绝缘层上硅（fully-depleted silicon-on-insulator，FD-SOI）工艺制造，体偏压调压范围0V至+2V，可降低电路最低工作电压，在400mV时支持460MHz时钟频率。
 
    通过整合双方的设计技术，展品取得了超宽的电压范围、更高能效和空前的电压效率和频率效率。意法半导体和Leti开发并优化了0.275V－1.2V标准单元库：通过利用非重叠功率－性能特性，取得了理想的实现成果。在优化单元中，快速脉冲触发式触发器（fast pulse-triggered flip-flops）是针对低压可变性容限设计。
 
    此外，芯片内部时序裕量监视器动态调整时钟频率，使其为最大工作频率的百分之几，时序调整与电源电压值、体偏压值、温度以及制造工艺无关。因此，即便在0.4V时，该数字信号处理器工作频率仍然提高9倍。 
 
    意法半导体设计支持服务部执行副总裁Philippe Magarshack表示：“UTBB FD-SOI技术是意法半导体的速度更快、散热更小、更简单的解决方案，在性能和节能方面取得巨大进步，同时尽量减少了对现有设计和制造方法的调整和改变。本次展出的数字信号处理器证明，FD-SOI在如何使用能效更高的直至10纳米的芯片设计更好的便携式电池供电产品方面开创了一条新路。”
 
    Leti部门副总裁兼设计和嵌入式系统平台业务主管Thierry Collette表示：“开发能够充分发挥技术性能和能效优势的先进设计方法，然后再利用这些方法设计最终适用于物联网终端产品的专用元器件，作为技术创新与上游工业之间的桥梁，Leti在这个过程中起到关键作用。”
 
    于2月12日举行的ISSCC第27届“Energy-Efficient Digital Circuits”专题研讨会上，Leti和意法半导体宣读了合著论文“A 460MHz at 397mV, 2.6GHz at 1.3V, 32b VLIW DSP, Embedding Fmax Tracking”，同时向与会者展示了相关产品套件。