×
SiC功率半导体供应商GeneSiC日前宣布推出其第三代1200V G3R SiC MOSFET，其导通电阻（RDS（ON））范围为20mΩ至350mΩ。据称，该系统具有业界领先的性能，鲁棒性和质量，可带来的好处包括更高的效率，更快的开关频率，更高的功率密度，更小的振铃（EMI）和紧凑的系统尺寸，适用于汽车和工业应用。
G3R SiC MOSFET采用优化的低电感分立封装（SMD和通孔），为要求提高效率水平和超快速开关速度的电源系统设计进行了高度优化。
公司总裁Ranbir Singh博士说：“经过多年的努力，以实现最低的导通电阻和增强的防短路性能，我们很高兴推出具有15种以上分立和裸芯片产品的业界性能最佳的1200V SiC MOSFET。如果下一代电力电子系统要在汽车，工业，可再生能源，交通，IT和电信等应用中满足具有挑战性的效率，功率密度和质量目标，那么与目前相比，它们需要显着改善性能和可靠性。”
产品应用范围包括电动汽车（动力传动系统和充电）；太阳能逆变器和储能；工业电机驱动器；不间断电源（UPS）；开关电源（SMPS）；双向DC-DC转换器智能电网和高压直流输电；感应加热和焊接；脉冲功率应用。
GeneSiC的所有SiC MOSFET均采用行业标准的D2PAK，TO-247和SOT-227封装，可用于汽车应用（AEC-Q101），并满足PPAP要求。 1200V SiC MOSFET分立器件在生产过程中经过100％雪崩（UIL）测试。
所有产品均可通过授权分销商Digi-Key Electronics，Newark Farnell element14，Mouser Electronics和Arrow Electronics购买。
『本文转载自网络,版权归原作者所有,如有侵权请联系删除』
热门文章
更多
Vishay新款宽边薄膜片式电阻 稳定性可靠性更高
APP下载
登录
