飞兆推出全新初级端调节PWM控制器
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新初级端调节 (primary-side regulation, PSR) 脉宽调制 (PWM) 控制器系列.实现精简又高效的电池充电器和电源电路设计.这些EZSWITCH 初级端调节控制器集成了一个

安森美推出支持TRIAC调光的PFC LED驱动器
安森美半导体(ON Semiconductor)推出新的功率因数校正(PFC)可调光发光二极管(LED)驱动器NCL30000.用于住宅及商业照明应用. NCL30000采用紧凑型的8引脚表面贴装封装.使用临界导电模式(CrM)反激架构.以单段式

符合消费电子器件要求的微型开关
从某些用户使用便携式消费电子产品的方式来判断.它们可被视为恶劣环境器件.手机.MP3播放器.平板电脑和其他便携式电子器件已经成了无处不在的个人和专业工具.整天被连续使用.却并未被小心对待.因此.开关制造

IGBT 系统设计全攻略【详细】
详解IGBT系统[图文] IGBT.中文名字为绝缘栅双极型晶体管.它是由MOSFET(输入级)和PNP晶体管(输出级)复合而成的一种器件.既有MOSFET器件驱动功 率小和开关速度快的特点(控制和响应).又有双极型器件饱和

ST紧凑型SO-8W封装6kV磁隔离高压栅极驱动器
意法半导体发布了紧凑的高压栅极驱动器STGAP2HS.适用于栅极驱动侧与低压控制接口电路之间要求6kV电隔离的应用场景.这款1200V器件的输出端最大灌电流和拉电流为4A.可以简化中高功率变换器.电源和逆变器设计.增强

Diodes双极型三极管采用新型PowerDI5封装
Diodes公司推出首款采用其微型PowerDI5表面贴装封装的双极型晶体三极管产品.新产品采用Diodes的第五代矩阵射极工艺.率先面世的12款NPN及PNP晶体管有助于设计人员大幅提高功率密度并缩减解决方案的尺寸. Powe

IR新款25 V及30 V 高性能PQFN功率MOSFET系列
国际整流器公司 (International Rectifier.简称IR) 推出一系列25 V及30 V器件.采用了IR最新的HEXFET MOSFET硅器件和新款高性能PQFN 3 x 3封装.为电信.网络通信和高端台式机及笔记本电脑应用的DC-DC转换器提供了