EITIA的含金量有多高?
开创更小、更快充电器电源时代,ST驱动与GaN集成产品问市 半导体供应商意法半导体推出世界首个嵌入硅基半桥驱动芯片和一对氮化镓(GaN)晶体管的MasterGaN®产品平台.这个集成化解决方案将有助于加快下一代400W以下轻便节能的用于消费电子和工业充电器和电源适配器的开发速度
延时可控高压脉冲发生器的设计 摘要:将数字延时及高压脉冲形成电路结合在一起构成高精度的高压脉冲发生器.用于触发Marx发生器及高压脉冲触发装置.也适用于高压雷管起爆装置.以CPU8031为控制核心.采用VE4137A型高电压.大电流.低抖动.快速氢
FairchildFL77308.4W调光LED驱动方案 Fairchild公司的FL7730是高度集成的PWM控制器,为单级反激转换器提供增强的性能,其有所有权的TRUECURRENT™拓扑简化了LED照明的电路设计.应用电压80VAC ~ 308VAC,起动电流20uA,工作电流5mA,采用跳频有更好的EMI性能,主
Vishay P沟道Gen III MOSFET具有业内最低导通电阻 -12V和-20V器件采用PowerPAK® ChipFET®和PowerPAK 1212-8S封装.3.0mm x 1.9mm x 3.3mm的占位体积宾夕法尼亚.MALVERN - 2013 年 11 月29 日 - 日前.Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布.推出
大联大旗下品佳集团推出NXP市电供电LED驱动方案 2013年8月29日.致力于亚太区市场的领先电子元器件分销商---大联大集团宣布.其旗下品佳集团推出NXP最新市电供电 LED IC及其驱动方案. 本次推出的NXP中小功率市电供电非调光LED驱动IC选型表格与可控硅调光LED驱
IR宣称在功率器件技术上取得重大突破 国际整流器公司(IR)已经开始利用专有的基于氮化镓(GaN)的功率器件技术平台制造原型器件.这种器件经过5年的开发.据该公司称将在电源转换上推动重大突破. IR暗示.与现有一代硅基工艺相比.这种基于硅上氮化镓
飞兆半导体新型低功率LED驱动器集成MOSFET 随着LED照明市场持续增长.设计人员需要能够适合有限的线路板占位面积.满足电路保护和系统可靠性要求并简化供应链物流.同时符合全球能源法规要求的解决方案.为了帮助设计人员满足这些要求.飞兆半导体公司(Fairch