MAX1917实现2.5V电源输出的应用电路
MAX1917实现2.5V电源输出的应用电路 MAX1917最初设计用于双数据速率(DDR)存储器的电压跟踪端接.当基准电压作用到REFIN时.为了避免较大的输入浪涌电流.MAX1917经过5级将输出电感电流上升到预设的输出电流门限

EUV单次曝光能力提升至24nm节距
本周在SPIE高级光刻会议上,世界领先的纳米电子和数字技术研究与创新中心IEMC与世界领先的半导体光刻设备制造商ASML宣布了一项合作成果.在印刷24nm节距线方面取得突破,该节距对应于3nm节点中关键后段金属层节距

光刻机为什么这么难造，不同光刻技术之间有哪些区别
光刻机被誉为半导体工业皇冠上的明珠.它也是半导体制造中最复杂.最关键的工艺步骤.其主要作用是将掩模版上的芯片电路图转移到硅片上.光刻的工艺水平直接决定芯片的制程水平和性能水平.根据暴光方法的不同.光刻可以划分为接触式光刻.接近式光刻和投影式光刻三种光刻技术

东芝推出100V大电流光继电器 额定工作温度更高
东芝电子元件及存储装置株式会社([东芝")宣布.推出新款光继电器---[TLP241B".该款大电流光继电器采用DIP4封装.适用于可编程逻辑控制器和I/O接口等工业应用.样品提供和量产现已开始.TLP241B集成了基于东芝最新

Vishay Siliconix推出60V 功率MOSFET
日前.Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布.推出采用SOT-923封装的60V N沟道功率MOSFET --- SiM400.该器件为业界最小的60V功率MOSFET.比SC-70和SC-90等封装能节约更多的空间.

Qspeed硅二极管：满足高性能与低成本的双重要求
Qspeed半导体自2006年推出第一款产品之后.就以极其迅猛的速度在发展.抢夺电源分立器件领域市场.Qspeed半导体总裁暨执行长Mike Heitzman凭借其在摩托罗拉半导体以及安森美半导体长达25年的从业经验.以及个人对于

升压转换器的易于编程LED驱动器
大多数采用白色发光二极管(WLED)背光显示器的便携式产品同时还需要辅助的LED照明.一般需要两个IC:一个感性升压转换器.使背光LED获得最大效率(80%),一个电荷泵.允许独立控制各辅助LED.此外.每个IC都需要