该器件可实现快速开关驱动功率 IGBT 和 MOSFET，同时提高系统电源连接器

    中国北京  – 2014年3月25日 – 电机控制变频器及高性能电源系统等工业应用的系统设计工程师，一直寻求在单 IC 封装中高度集成栅极驱动和保护特性，以简化设计并提高效率。新研发的FOD8332 是高级 2.5 A 输出电流 IGBT/MOSFET 驱动光电耦合器。
　　　
    该器件的绝缘工作电压额定值 (VIORM) 为 1414 V，比竞争产品高 13%，允许器件直接驱动 1200 V IGBT。共模瞬态抑制性 (CMTI) 优于竞争型解决方案 100% 以上，而开关期间每周期动态功耗 (ESW) 比竞争产品低 50%。
　　　
    这些高压部件允许给定功率额定值的系统以较高电压和较低电流工作，其噪声滤波损耗小，从而使变频器更高效。
　　　
    FOD8332 集成了防止出现故障状态所需的关键保护功能，从而确保 IGBT不会由于过热损坏。内置了大多数保护功能，从而减少了设计复杂性，无需板级设计人员设计额外元件。
　　　
    该器件采用Fairchild专有的 Optoplanar® 共面封装技术和 IC 优化设计，实现了高绝缘电压和高抗噪能力，具有高共模抑制特性。
　　　
    该器件采用宽体 16 引脚小型塑料封装，在紧凑封装内提供高绝缘性能。
　　　
    “Fairchild提供独特的功率器件，并结合深厚的设计专业知识和制造经验，协助客户打造震撼的电子产品。”Fairchild绝缘和光电子器件总监 John Constantino 指出，“FOD8332 根据客户的要求研发，集成多项功能，可针对性地解决客户所面临的严峻挑战。这既体现了我们以客户为中心的宗旨，也是为了实现成为创新电源管理解决方案源泉这一目标。”

主要功能：

　输入 LED 驱动辅助接受来自 PWM 输出的数字编码信号
　光隔离故障检测反馈
　高 dv/dt 无负电源电压时，有源米勒箝位关闭 IGBT
　具有共模抑制特性的高抗噪能力 – 最小值 35 kV/μs，VCM = 1500 VPEAK
　2.5 A 输出电流驱动能力，针对中等功率 IGBT
　使用 P 沟道 MOSFET 作为输出级可使输出电压摆幅接近供电轨（轨到轨输出）
　宽电源电压范围： 15 V 至 30 V
　1 分钟 UL1577、4243 V RMS
　DIN-EN/IEC60747-5-5（待定）：
　1414 VPEAK 工作绝缘电压
　8000 VPEAK 瞬态额定隔离电压
　8 mm 爬电和安全距离

应用:

隔离IGBT/功率MOSFET栅极驱动
可再生能源 - 光伏逆变器，风力发电逆变器
交流和无刷直流电机驱动
工业变频器
不间断电源
感应加热