大联大友尚集团推出ST新款高性能功率MOSFET-EDA365

半导体设计 > 分离器件设计 > 详情

大联大友尚集团推出ST新款高性能功率MOSFET

发布时间：

标签:
器件

大联大控股宣布，其旗下友尚推出ST MDmesh™ M2系列的新款N-通道功率MOSFET---600V MDmesh M2 EP。该系列MOSFET能够为服务器、笔记本电脑、电信设备及消费性电子产品电源提供业界最高能效的电源解决方案，在低负载条件下的节能效果特别显著，让设计人员能够开发更轻、更小的开关式电源，同时轻松达到日益严苛的能效目标要求。

新款600V MDmesh M2 EP产品整合ST经市场验证的条形布局（strip layout）和全新进化的垂直结构与优化的扩散制程（diffusion process），拥有优秀的开关设计，包括极低的导通电阻和关机开关损耗，是特别为超频功率转换器（f> 150 kHz）专门设计，为要求最严苛的电源供应器（PSU，Power Supply Unit）的理想选择。

硬开关和软开关电路拓扑均适用，包括谐振拓扑（resonant topologies），例如LLC谐振，新器件的开关损耗极低，特别是在低负载条件下，低损耗更为明显。除MDmesh M2产品的闸极电荷（Qg）极低外，M2 EP产品的关机能耗（Eoff ）还可降低20%，而在硬开关转换器中，关机损耗同样降低20%。在低电流范围内降低Eoff损耗，有助于提高低负载能效，进而协助电源厂商顺利达成日益严苛的能效认证要求。

升级后的关机波形（turn-off waveforms）可提高谐振转换器的能效、降低噪声，每周期回收再利用更多电能，而不是以散热的形式浪费掉。

新款MDmesh M2 EP系列的主要特性：

极低的闸极电荷（Qg低至16 nC）

针对轻负载条件优化电容曲线（capacitance profile）

针对软件开关优化Vth和Rg参数

稳健的本体二极管（body diode）

MDmesh M2 EP系列锁定需要高能效的电源应用，提供多种封装选择（PowerFLAT 5x6 HV、DPAK、D2PAK、TO-220、TO-220FP、I2PAKFP、TO-247），所有产品均已量产。

『本文转载自网络,版权归原作者所有,如有侵权请联系删除』