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安森美半导体(ON Semiconductor)扩充公司市场领先的功率开关产品阵容，推出包括500伏特(V)和600 V器件的高压功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)系列。这些新方案的设计适合功率因数校正(PFC)和脉宽调制(PWM)段等高压、节能应用的强固要求，在这些应用中，加快导通时间及降低动态功率损耗至关重要。具体而言，这些方案非常适合用于游戏机、打印机和笔记本电源适配器，及应用于ATX电源、液晶显示器(LCD)面板电源和工业照明镇流器。
这些新的500 V和600 V器件是单N沟道MOSFET，以提供有竞争力的低导通阻抗(RDS(on))实现极低的功率耗散。这些器件使用平面条形(planar stripe)技术，能在极苛刻应用中工作。低门电荷降低开关损耗，还提高电源能效。这些器件的额定雪崩能量在电源应用中提供强固的工作。这些器件的优异性能组合帮助开发更高能效的电源子系统。
安森美半导体MOSFET产品分部副总裁兼总经理Paul Leonard说：“推出这些器件系列仅是安森美半导体进军高压功率MOSFET市场的第一步。我们战略性地进入了高压开关市场，提供充沛的500 V到600 V负载开关方案选择，更好地服务我们客户的总体电源管理需求。未来我们将继续扩充高压功率MOSFET产品阵容，为消费及工业客户提供针对性的方案。这些新器件的推出是安森美半导体不断加强其业界领先高能效电源方案供应商地位的又一实例。”
新推出的600 V MOSFET器件包括：NDD02N60Z-1G，采用IPAK封装；NDD02N60ZT4G，采用DPAK封装；NDD03N60Z-1G，采用IPAK封装；NDD03N60ZT4G，采用DPAK封装；NDD04N60Z-1G，采用IPAK封装；NDD04N60ZT4G，采用DPAK封装；NDF04N60ZG，采用TO-220FP封装；NDF06N60ZG，采用TO-220FP封装；NDF10N60ZG，采用TO-220FP封装。
新推出的500 V MOSFET器件包括：NDD05N50Z-1G，采用IPAK封装；NDD05N50ZT4G，采用DPAK封装；NDF05N50ZG，采用TO-220FP封装；NDF08N50ZG，采用TO-220FP封装。
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