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100V高速同N沟道MOSFET 驱动器【凌力尔特】

发布时间:2020-06-29 发布时间:
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    加利福尼亚州米尔皮塔斯 (MILPITAS, CA) – 2011 年 2 月 18 日 – 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 LTC4444/-5 的 H 级版本,该器件是一款高速、高输入电源电压 (100V)、同步 MOSFET 栅极驱动器,为在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端 N 沟道功率 MOSFET 而设计。该驱动器与功率 MOSFET 以及凌力尔特公司很多 DC/DC 控制器之一相结合,可构成完整的高效率同步稳压器。LTC4444H/-5 在 -40°C 至 150°C 的节温范围内工作,而 I 级版本的工作温度范围为 -40°C 至 125°C。

    该器件集成了自适应贯通保护功能,以最大限度地缩短死区时间,同时防止高端和低端 MOSFET 同时导通。这些强大的驱动器在 1.5Ω 下拉阻抗时能提供高达 1.4A 以驱动高端 MOSFET,在 0.75Ω下拉阻抗时则能提供 1.75A 以驱动低端 MOSFET,从而使该器件非常适用于驱动大栅极电容、大电流 MOSFET。LTC4444H/-5 可驱动多个并联的 MOSFET,以用于较大电流的应用。当驱动 1000pF 负载时,高端 MOSFET 的快速 8ns上升时间、5ns 下降时间和低端 MOSFET 的 6ns 上升时间、3ns 下降时间可最大限度地降低开关损耗。

    LTC4444H/-5 针对两个与电源无关的输入进行配置。高端输入逻辑信号的电平从内部移位至自举电源,该信号可在比地高 114V 时工作。LTC4444-5 在 4.5V 至 13.5V 的范围内驱动高端和低端的 MOSFET 栅极,而 LTC4444 则在 7.2V 至 13V 的范围内驱动高端和低端的 MOSFET 栅极。
这两款器件都采用耐热增强型 MSOP-8 封装。千片批购价均为每片 2.00 美元。

    照片说明:用于 DC/DC 转换器的高可靠性 100V 同步 MOSFET 驱动器

    性能概要:LT4444H/-5
    • 高速 / 高压同步 N 沟道 MOSFET 驱动器
    • 100V 最高电源电压
    • -40°C 至 +150°C 的工作结温范围
    • 在 0.75Ω 下拉阻抗时提供大驱动电流
    • 4.5V/7.2V 至 13.5V 的栅极驱动电压
    • 自适应贯通保护
    • 驱动高端和低端 MOSFET
    • 驱动 1000pF 负载时,高端栅极具 8ns 上升时间、5ns 下降时间
    • 驱动 1000pF 负载时,低端栅极具 6ns 上升时间、3ns 下降时间
    • 用于栅极驱动电压的欠压闭锁
    • 耐热增强型 MSOP-8 封装




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