ST推出新款功率MOSFET，实现更小、更环保的汽车电源-EDA365

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ST推出新款功率MOSFET，实现更小、更环保的汽车电源

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中国，2015年12月23日——意法半导体（STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM）针对汽车市场推出了新系列高压N沟道功率MOSFET。新产品通过AEC-Q101汽车测试认证，采用意法半导体最先进、内置快速恢复二极管的MDmeshTM DM2超结制造工艺，击穿电压范围为400V至650V，可提供D2PAK、TO-220及TO-247三种封装。

400V和500V两款新产品是市场上同级产品中首个获得AEC-Q101认证的功率MOSFET，而600V和650V产品性能则高于现有竞争产品。全系列产品专为汽车应用设计，内部集成快速恢复体二极管（fast body diode）、恢复软度系数更高的换向行为（commutation behavior）和背对背栅源齐纳（gate-source zener）二极管保护功能，是全桥零压开关拓扑的理想选择。

意法半导体的新功率MOSFET是汽车市场上Trr（反向恢复时间） / Qrr（反向恢复电荷）比和恢复软度系数表现最好的功率MOSFET，同时也拥有最出色的高电流关断能量（Eoff），有助于提高汽车电源能效。此外，内部快速体二极管的性能表现亦十分出色，有助于降低EMI电磁干扰，让设计人员能够使用尺寸更小的被动滤波器件。MDmeshTM DM2技术通过这种方式让电源设计变得更环保、能耗更低，从而使能效最大化、终端产品的尺寸最小化。

意法半导体的新款车用功率MOSFET拥有以下主要特性：

快速恢复体二极管

极低的栅电荷量及输入电容，500V D2PAK产品的栅电荷量及输入电容分别为44nC和 1850pF

低导通电阻

最短的Trr（反向恢复时间）：600V TO-247在28A时是120ns；650V TO-247在48A时是135ns

栅源齐纳二极管保护

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