光耦合器研发设计的过程中，需要工程师多加注意的不仅有其技术问题，所采用的封装模式也同样非常重要。选用正确的封装形式，对于光耦合器新产品的研发设计而言是非常重要的，在今天的文章分享中，我们将会为大家盘点一下那些常见的光耦封装模式，大家一起来看看吧！

光耦合器的DIP封装

首先要为大家介绍的是光耦合器的DIP封装形式。众所周知，光耦合器在平时的应用中，最普遍的一种应用方式就是作为专用调制解调器，允许电脑与电话线连接，且消除电气瞬变引起的风险或损害。而光耦合器除提供高度电气绝缘外，还可提高差模信号与共模信号的比率。DIP广泛用于集成电路的封装，也用于常规的光耦合器，其常规封装模式如下图图1所示。就目前国际市场的情况来看，厂家通常制造具有4、6、8或16接脚的各种型式DIP封装光耦合器。

图1 常规DIP光耦合器封装

在平时的生产研发和实际应用过程中，工程师们往往需要在这种DIP光耦合器的封装基础上，对其做进一步改进，相对来说要更费时费力一些。例如，光耦合器封装需要昂贵和费时的过成型处理。在这个处理过程中，成型化合物灌封光耦合器封装的其它部分。除过成型工艺本身外，还需要采取成型材料清除工艺除掉多余的成型化合物，这就增加了光耦合器封装的时间和费用。此外，厂家还需要投入较多的资金，用于成型不同外形尺寸封装（如4、6或8接脚封装）的工具，因此，如果能够省去过成型工艺，就可减少制造光耦合器封装的相关时间和成本。

然而，采用DIP封装形式的光耦合器，其本身具有一个比较大的缺点，那就是这种封装形式并不能让光耦很好地以表面附着方式安装到PCB板上，因此必须重整引脚以便进行表面安装回流焊，这常常会存在引起微小裂缝的危险，就有可能会影响到组件的可靠性。更深一步的来说，对于其它组件使用薄型表面安装的封装形式，如TSSOP或TQFT器件的用户来说，这样重整后的DIP封装的高度仍存在问题。

光耦合器的BGA封装

除了DIP封装模式之外，目前常用到的第二种光耦合器封装模式，就是我们经常提及的BGA封装。这种封装模式最大的特点就是不需要灌封材料，而且它的制造工具与封装的外形尺寸无关。其设计也可改善封装在热循环等加速测试中的可靠性能。采用无铅焊球可构建完全无铅的封装。这种封装形式如下图图2所示。

图2 光耦合器BGA封装

使用这种BGA封装模式的光耦合器，其封装的重要组成部分中特别包括了一个氧化铝基底，其上形成图案踪迹和区域，用于砷化镓发光二极管（LED）和光电探测器硅组件的晶片附着，LED的焊接方法使其可以被施加外接偏压，光电探测器连接至输出。因此在应用过程中，工程师可以采用光涂层结合LED和光电探测器，以此能够轻松实现介质之间的大量传输。而且，这种BGA的封装形式采用的是反射涂层覆盖光涂层，能使传送到感光性晶片的辐射达到最大。焊球形成二层互连，即从封装至PCB板，采用业界传统的基底厚度和工艺，便可以构造侧高很低的可表面安装式光耦合器封装，而且利用封装设计的独特性能，便可以省去一组投资极高的工艺步骤，在成本节省方面具有较大优势。