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BQ4011/BQ4011Y是32Kx8非易失性SRAM

发布时间:2023-03-10 发布时间:
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特征

➤断电情况下的数据保留

➤通电/断电循环期间的自动写保护

➤工业标准28针32K x 8针

➤常规SRAM操作;无限写循环

➤断电情况下的10年最低数据保留期

➤电池内部隔离,直到通电

一般说明

CMOS bq4011是一个非易失性262144位静态RAM,按8位组织为32768字。集成控制电路和锂能源提供可靠的非易失性,与标准SRAM的无限写入周期相结合。

控制电路持续监测单个5V电源是否超出公差条件。当VCC超出允许范围时,SRAM无条件写保护,以防止意外写操作。

此时,打开积分能量源以维持存储器,直到VCC恢复有效。

bq4011使用极低待机电流的CMOS SRAM,再加上一个小型的锂币电池,以提供非易失性,而无需长的写入周期和与EEPROM相关的写入周期限制。

bq4011不需要外部电路,插座与行业标准SRAM和大多数EPROM和EEPROM兼容。

功能描述

当电源有效时,bq4011作为标准CMOS SRAM工作。在断电和通电循环期间,bq4011充当非易失性存储器,自动保护和保存存储器内容。

掉电/上电控制电路持续监测VCC电源的电源故障检测阈值VPFD。bq4011显示器的VPFD=4.62V,通常用于电源公差为5%的系统。bq4011Y显示器的VPFD=4.37V,通常用于电源公差为10%的系统。

当VCC低于VPFD阈值时,SRAM自动写入保护数据。所有输出变为高阻抗,所有输入都被视为“无所谓”。如果在检测到电源故障时正在进行有效访问,则内存循环将继续完成。如果内存周期未能在时间tWPT内终止,则发生写保护。

当VCC经过VPFD并接近3V时,控制电路切换到内部锂备份电源,该电源提供数据保留,直到应用有效的VCC。

当VCC恢复到高于内部备用电池电压的水平时,电源切换回VCC。VCC在超过VPFD阈值后,写保护将持续一段时间tCER(最大120ms),以允许处理器稳定。正常的内存操作可能会在这段时间后恢复。

bq4011使用的内置币形电池具有极长的保质期,在没有系统电源的情况下,可提供超过10年的数据保存。

从BenchmarkQ发货时,集成锂电池与存储器电隔离。(这种情况下的自放电率约为每年0.5%)首次使用VCC后,这种隔离被破坏,锂备用电池在随后的断电时提供数据保留。

注意:如果超过绝对最大额定值,可能会导致永久性设备损坏。功能操作应限于本数据表中详细说明的推荐直流操作条件。长时间暴露在超出操作极限的条件下可能会影响设备的可靠性。

笔记:

1、我们被高举阅读周期。

2、连续选择设备:CE=OE=VIL。

3、地址在CE转换低之前有效或与之一致。

4、OE=中档。

5、 连续选择设备:CE=VIL。

笔记:

1、 写作结束于CE上升和我们上升的早期转变。

2、 低CE和低WE重叠时发生写入。从后面的转换开始写我们都在走下坡路。

3、 必须满足tWR1或tWR2。

4、 必须满足tDH1或tDH2。

5、 如果CE在我们走低的同时走低,或者在我们走低之后,输出保持在高阻抗状态。

注:

1、CE或我们在地址转换过程中必须处于高位。

2、 由于在此期间I/O可能处于激活状态(OE低),因此不得应用与输出相反极性的数据输入信号。

3、 如果OE高,则I/O引脚保持高阻抗状态。

4、 必须满足tWR1或tWR2。

5、 必须满足tDH1或tDH2。

注:

1、典型值表示TA=25°C,VCC=5V时的运行。

2、 在第一次使用VCC之前,蓄电池与电路断开。tDR是首次向设备供电时,在无电启动的情况下的累积时间。

警告:在电池备份模式下,低于绝对最大额定值-0.3V的负负未及点可能会影响数据完整性。

*注:工业温度范围内仅提供10%电源(“Y”)版本;有关速度等级可用性,请与工厂联系。



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