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MOCVD的应用范围

发布时间:2023-09-19 发布时间:
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金属有机化学气相沉积系统(MOCVD)是利用金属有机化合物作为源物质的一种化学气相淀积(CVD)工艺,其原理为利用有机金属化学气相沉积法metal-organic chemical vapor deposition.MOCVD是一种利用气相反应物,或是前驱物precursor和Ⅲ族的有机金属和V族的NH3,在基材substrate表面进行反应,传到基材衬底表面固态沉积物的工艺。

MOCVD主要功能在于沉积高介电常数薄膜,可随着precursor的更换,而沉积出不同种类的薄膜。对于LED来说,LED芯片由不同半导体材料的多层次架构构成,这些材料放在一个装入金属有机化学气相沉积系统的圆形芯片上。这个过程叫做晶体取向附生,对于决定LED的性能特徵并因此影响白光LED的装仓至关重要。

MOCVD应用的范围有:

1、 钙鈦矿氧化物如PZT、SBT、CeMnO2等;

2、 铁电薄膜;

3、 ZnO透明导电薄膜、用于蓝光LED的n-ZnO和p-ZnO、用于TFT的ZnO、ZnO纳米线;

4、 表面声波器件SAW(如LiNbO3等、;

5、 三五族化合物如GaN、GaAs基发光二极体(LED)、雷射器(LD)和探测器;

6、 MEMS薄膜;

7、 太阳能电池薄膜;

8、 锑化物薄膜;

9、 YBCO 高温超导带;

10、 用于探测器的SiC、Si3N4等宽频隙光电器件

MOCVD对镀膜成分、晶相等品质容易控制,可在形状复杂的基材、衬底、上形成均匀镀膜,结构密緻,附着力良好之优点,因此MOCVD已经成为工业界主要的镀膜技术。MOCVD制程依用途不同,制程设备也有相异的构造和型态。MOCVD近来也有触媒制备及改质和其他方面的应用,如制造超细晶体和控制触媒得有效深度等。在可预见的未来里,MOCVD工艺的应用与前景是十分光明的。




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