BJT的三个端点-EDA365

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BJT的三个端点

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晶体管
衬底

BJT有三个端点，分别为：集电极(C)、基极(B)、发射极(E)。在一个npn晶体管中，电流会从集极流至射极，如果集极-射极偏压(VCE)大于等于某一个正电压(例如，0.2V的饱和电压)，且基极-射极偏压(VBE)大于0.6V或更多一些。在PNP晶体管中，电流电压极性刚好与NPN相反。图（a）中的T1是一个PNP晶体管，T2则是一个NPN晶体管。如果RS与Rw愈大，那么Latch-Up便愈可能发生，其等效电路图如图 (b)中所示。如果有足够的电流流入N型衬底而从P型阱中流出，在RS两端的电压将可能有足够大的偏压使得T1和T2两个晶体管进入线性区而如同一小电阻。因此从电源会流出多少电流就由RS的值来决定，这个电流可能足够大而使得电路故障。

为了缓和这种效应，我们可以降低BJT的增益值并且减少Rs与Rw的电阻值。我们可以加上衬底接点(Substrate Contact)，它可以有效减少Rs、Rw电阻值。在现在大部分的制造中设计者并不需要太担心Latch-Up的问题，只要设计时使用充分的衬底接点。事实上，现在要分析出加多少的衬底接点就可以避免Latch-Up这个问题是很难的。

 使T1、T2的，npnpnp«1，工艺上采取背面掺金，中子辐射电子辐照等降低少子寿命  输入输出保护  采用重掺杂衬底上的外延层，阱下加p+埋层。  制备“逆向阱”结构。  采用深槽隔离技术。

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