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存储器结构及版图(rom)
存储器的结构及其工作方式。
根地址线，4d[3:0]可以最多产生2^n为2种组合记为w[3:0](。
| a0 | a1 | w0 | w1 | w2 | w3 |
| 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 |
| 0 | 1 | 0 | 0 | 1 | 0 |
| 1 | 0 | 0 | 1 | 0 | 0 |
| 1 | 1 | 1 | 0 | 0 | 0 |
，a1=0，其余均为0高电平)时，w3。 ，a1=0，所以完全可以用两个开关mos
，就将开关mos接地，a0-a0反接，a1-a1反接即是。不过实际的rom电路并不是直接连获取得电位，而是rom，bl源漏相连接地，wl以低电位选通(nmos平时都是高电位，只有为低电位时才会阻断到地)的扩展性，还会有片选sel
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