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产品型号:NTR2101PT1G
源漏极间雪崩电压VBR(V):8
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):52
最大漏极电流Id(on)(A):3.700
通道极性:P沟道
封装/温度(℃):SOT-23 /-55 ~150
描述:-8 V, -3.7 A,双功率MOSFET
价格/1片(套):￥1.59
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