NTR2101PT1G-EDA365

研发资源 > 标签 > NTR2101PT1G

|相关技术

NTR2101PT1G的技术参数

发布时间：2021-07-29

产品型号:NTR2101PT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):8源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):52最大漏极电流Id(on)(A):3.700通道极性:P沟道封装/温度(℃):SOT-23 /-55 ~150描述:-8 V, -3.7 A,双功率MOSFET价格/1片(套):￥1.59 ...<全部>

技术百科

|

79

上一个下一个

相约10月，首届湾芯展“十大看点”抢先看！

相约10月，首届湾芯展“十大看点”抢先看！

|相关标签

技术参数

|热门文章

NTR2101PT1G的技术参数