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NTP65N02R的技术参数

发布时间:2021-07-23 发布时间:
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产品型号:NTP65N02R

源漏极间雪崩电压VBR(V):24

源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):8

最大漏极电流Id(on)(A):65

通道极性:N沟道

封装/温度(℃):TO-220AB/-55~150

描述:75A,60V功率MOSFET

价格/1片(套):¥5.70


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