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NTP65N02R的技术参数

 发布时间：2021-07-23
产品型号:NTP65N02R源漏极间雪崩电压VBR(V):24源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):8最大漏极电流Id(on)(A):65通道极性:N沟道封装/温度(℃):TO-220AB/-55~150描述:75A,60V功率MOSFET价格/1片(套):￥5.70 ...<全部>
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