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NTP30N20G的技术参数

 发布时间：2021-07-23
产品型号:NTP30N20G源漏极间雪崩电压VBR(V):200源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):81最大漏极电流Id(on)(A):30通道极性:N沟道封装/温度(℃):TO-220/-55 ~150描述:30 A, 200 V功率MOSFET价格/1片(套):￥17.00 ...<全部>
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