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产品型号:NTHD3101FT1G
源漏极间雪崩电压VBR(V):20
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):80
最大漏极电流Id(on)(A):4.400
通道极性:P沟道
封装/温度(℃):ChipFET /-55~150
描述:-20 V, -4.4 A功率MOSFET
价格/1片(套):￥2.76
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