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NTHD3101FT1G的技术参数

 发布时间：2021-07-26
产品型号:NTHD3101FT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):80最大漏极电流Id(on)(A):4.400通道极性:P沟道封装/温度(℃):ChipFET /-55~150描述:-20 V, -4.4 A功率MOSFET价格/1片(套):￥2.76 ...<全部>
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