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NTHD3101FT3G的技术参数

 发布时间：2021-07-26
产品型号:NTHD3101FT3G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):80最大漏极电流Id(on)(A):4.400通道极性:P封装/温度(℃):ChipFET/-55~150描述:20V,4.4A,P沟道MOSFET,带肖特基二极管价格/1片(套):暂无 ...<全部>
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GMT, 2020-03-13 09:00 , Processed in 0.109375 second(s), 13 queries , Gzip On.