×
研发资源 > 标签 > NTHD4102PT1G
|相关技术

NTHD4102PT1G的技术参数

 发布时间：2021-07-26
产品型号:NTHD4102PT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):1源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):64@-4.5V最大漏极电流Id(on)(A):1通道极性:P/P沟道封装/温度(℃):ChipFET/-55~150描述:-4.1A, -20V双功率MOSFET价格/1片(套):￥2.90 ...<全部>
  • 185
上一个 下一个
|最新活动
EITIA线上云展+电子互连技术公开课正式启动！提前报名畅享三重好礼！

EITIA线上云展+电子互连技术公开课正式启动！提前报名畅享三重好礼！
|相关标签
|热门文章
NTHD4102PT1G的技术参数

技术

硬件开发 EMC IC封装设计 射频RF 单片机IMCU 信号完整性 FPGA 电源 PCB设计 物联网 PCB工艺 PCBA

阅读

电子汇 最新资讯 EDA365原创吧

资源

公开课 研讨会 在线计算器

互动

论坛 外包
电巢APP下载电巢APP下载
关于我们 ｜ 手机版 ｜ EDA365电子论坛网 (粤ICP备18020198号)
GMT, 2020-03-13 09:00 , Processed in 0.109375 second(s), 13 queries , Gzip On.