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NTHD3100CT1G的技术参数

 发布时间：2021-07-26
产品型号:NTHD3100CT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):80最大漏极电流Id(on)(A):3.900通道极性:N/P沟道封装/温度(℃):ChipFET /-55~150描述:20 V, +3.9 A/-4.4 A功率MOSFET价格/1片(套):￥2 ...<全部>
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GMT, 2020-03-13 09:00 , Processed in 0.109375 second(s), 13 queries , Gzip On.