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NTB125N02RT4G的技术参数

发布时间:2021-07-29 发布时间:
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产品型号:NTB125N02RT4G

源漏极间雪崩电压VBR(V):24(min)

源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):4.600

最大漏极电流Id(on)(A):125

通道极性:N沟道

封装/温度(℃):D2PAK 3/-55 ~150

描述:125 A, 24 V 功率MOSFET

价格/1片(套):¥7.60


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