产品型号:NTB125N02RT4G
源漏极间雪崩电压VBR(V):24(min)
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):4.600
最大漏极电流Id(on)(A):125
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):D2PAK 3/-55 ~150
描述:125 A, 24 V 功率MOSFET
价格/1片(套):¥7.60
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