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NTB23N03R的技术参数

发布时间:2021-08-17 发布时间:
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产品型号:NTB23N03R

源漏极间雪崩电压VBR(V):25

源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):50.300

最大漏极电流Id(on)(A):23

通道极性:N沟道

封装/温度(℃):D2PAK/-55~175

描述:23A,25V功率MOSFET

价格/1片(套):¥4.50


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