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随着半导体制程工艺的升级难度越来越大，进度越来越缓慢，台积电的7nm工艺开发成本已经超过了30亿美元，接下来的5nm工艺预计要超过50亿美元，在平面上想提升晶体管密度这事情已经变得相当有挑战性，3D度堆叠工艺可能是解决这问题的一个好方法，结构简单的NAND闪存已经大面积转向3D堆叠工艺了，HBM显存也是利用3D堆叠工艺生产的，但是3D堆叠工艺也不是万能的，散热就是3D堆叠工艺要面临的一大难题，层数越多热量堆积就越严重，AMD近日申请的一项专利就有可能解决这一问题的。
AMD这一专利的就是在3D堆叠内存的逻辑层和存储层之间插入一片TEC热点效应散热模组，也就是我们所说的半导体制冷器或温差制冷器，它利用珀尔帖效应，由N、P型材料组成一对热电偶，当热电偶通入直流电流后，因直流电通入的方向不同，将在电偶结点处产生吸热和放热现象。
而这个现象是可以根据电流的方向而反转的，也就是说可以根据传感器反馈的结果，都可以利用热电偶把热量从较高的那一端转移到温度较低的一端，让热量分布更为平均，这一专利在任何3D堆叠生产的芯片上都相当实用，然而这一过程是会产生额外的发热的，也会带来额外的功耗，所以这一专利是否真的有用我们还得等实际产品出来再说。
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