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芯片封装一直是芯片制造中的一个重头戏，在传统的2D封装技术已经发展到瓶颈之后，半导体制造商们把目光转向了3D堆叠工艺。我们已经看到了大量的3D NAND闪存，英特尔和AMD也都有宣布关于3D芯片的研究，现在Arm和GlobalFoundries也加入了这个领域。
格罗方德（GlobalFoundries）昨日宣布，它已经开发出基于Arm的3D高密度测试芯片，该芯片将实现更高水平的性能和功效。新芯片采用GF的12nm FinFET工艺制造，采用3D的Arm网状互连技术，允许数据更直接地通往其他内核，最大限度地减少延迟，最终，这可以降低数据中心、边缘计算和高端消费者应用程序的延迟和更高的数据传输速度。
格罗方德表示他们的方法可以在每平方毫米上实现多达100万个3D连接，使其具有高度可扩展性，并有望延长12nm工艺的寿命。其3D封装解决方案（F2F）不仅为设计人员提供了异构逻辑和逻辑/存储器集成的途径，而且可以使用最佳生产节点制造，从而实现更低的延迟、更高的带宽和更小的特征尺寸。
由于12nm工艺更加稳定，因此目前在3D空间上开发芯片更容易，而不必担心新7nm工艺可能带来的所有问题。然而，台积电，三星和英特尔能够在比格罗方德小得多的节点上开发3D芯片只是时间问题。
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