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2012年3D芯片可望实现商用化

发布时间：2021-06-21

随着目前平面化的芯片开始出现多层式结构.半导体制造的基础将在未来几年发生转变.在全球主要的半导体工程领域花费近十年的时间致力于使得这种结构实现可制造化之后.立体的三维芯片(3D IC)终于可望在明年开始商用 ...<全部>

技术百科

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3D芯片
AI本科

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先进3D芯片堆叠的精细节距微凸点互连

发布时间：2020-07-02

本文研究主要考虑基于CuSn金属互化物的微凸点(μbump)作为芯片堆叠的手段.系统研究了形成金属互化物凸点连接的两种方法.一:瞬时液相(TLP)键合.在此过程中.全部Sn焊料熔化.随后通过与焊料盘的作用及凸点下金属化 ...<全部>

模拟电路设计

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多维设计技术力促3D芯片

发布时间：2020-07-02

您可能听说过这样的宣传:随着目前还是平面结构的裸片向多层结构的过渡.半导体制造基础在今后几年内将发生重大转变.为了使这种多层结构具有可制造性.全球主要半导体组织作出了近10年的不懈努力.从明年开始三维( ...<全部>

模拟电路设计

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中微推出用于3D芯片及封装的硅通孔刻蚀设备Primo TSV200E

发布时间：2020-07-01

具备超高产能.单位投资产出率高出同类产品30%.已进入中国昆山西钛和江阴长电上海和旧金山2012年3月15日电 /美通社亚洲/ -- 中微半导体设备有限公司(以下简称[中微")推出了8英寸硅通孔(TSV)刻蚀设备Primo TSV20 ...<全部>

工艺设备

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先进3D芯片堆叠的精细节距微凸点互连

发布时间：2020-06-23

本文研究主要考虑基于CuSn金属互化物的微凸点(μbump)作为芯片堆叠的手段.系统研究了形成金属互化物凸点连接的两种方法.一:瞬时液相(TLP)键合.在此过程中.全部Sn焊料熔化.随后通过与焊料盘的作用及凸点下金属化 ...<全部>

集成电路

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研究人员:RRAM可以变成更节能的3D芯片

发布时间：2020-06-23

几年前斯坦福工程师率先开发的电阻式随机存取存储器(RRAM).它是一种新型电脑存储器.它基于一种新的半导体材料.依赖于温度和电压来存储数据.虽然它被证明比当前技术更快.更节能.但是RRAM的工作原理仍然是一个 ...<全部>

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RRAM
3D芯片

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摩尔定律的[续篇":硬件正在吞噬软件

发布时间：2020-06-19

摩尔定律诞生50年来一直能够自我实现.引导整个行业每两年将同样大小芯片上的晶体管数目翻倍.但近年来.摩尔定律[终结"的声音愈发甚嚣尘上.面对如此行业瓶颈.硬件厂商正不断吞并融合原先软件领域的技术来谋求变革 ...<全部>

技术百科

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美国想靠石墨烯3D芯片[再次伟大".真能行?

发布时间：2020-06-16

自从特朗普把[美国优先"树立为美国政府制定政策的标准以来.美国的各个产业部门都应景地涌现出[使美国再次伟大"的方案和计划来.其中自然少不了电子行业.美国国防高级研究计划局(DARPA)作为美国军用技术研究主要 ...<全部>

技术百科

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3D
3D芯片

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3D堆叠封装将改变制程以及摩尔定律

发布时间：2020-06-04

芯片封装一直是芯片制造中的一个重头戏.在传统的2D封装技术已经发展到瓶颈之后.半导体制造商们把目光转向了3D堆叠工艺.我们已经看到了大量的3D NAND闪存.英特尔和AMD也都有宣布关于3D芯片的研究.现在Arm和Globa ...<全部>

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默克:3D芯片是摩尔定律物理极限的最佳解答

发布时间：2020-05-29

随着半导体先进制程持续往5奈米.3奈米逼近的同时.摩尔定律也正逐渐走向物理极限. 制程的微缩不只越来越困难.耗用的时间也越来越长.成本也越走越高.这使得半导体也必须从材料端与封装端来打破制程技术的限制. ...<全部>

半导体生产

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