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Analog Devices, Inc.(ADI)日前推出了一款专门用于9 KHz至13 GHz频段的吸收式单刀双掷(SPDT)开关HMC1118LP3DE，它具有48dB的高隔离度，在8 GHz条件下运行时仅有0.6dB的低插入损耗。
HMC1118LP3DE是ADI公司的新型RF和微波控制产品组合中的第一款产品，展现了硅工艺技术的固有优势，与传统的GaAs（砷化镓）RF 开关相比具有重大明显优势。
这些优势包括：建立时间比GaAs快100倍；提供强大的ESD（静电放电）保护（达到2000V，而GaAs仅为250V）；能够扩展开关的低频端，比GaAs低1000倍，同时保持高线性度。
HMC1118LP3DE还提供4W的业界领先RF功率处理能力，在热切换工作模式下达到0.5W。 它的热切换功率处理能力超出了具有相同RF带宽的竞争器件的两倍，这使工程师能够在他们的应用和系统中提高RF功率，而不会产生器件损坏的风险。 HMC1118LP3DE专为高隔离度进行了优化，在最大13 GHz的宽工作频率范围内提供极其平坦的传递特性，同时保持最低9kHz的高信号保真度。
这些特性组合在一起，使得该开关非常适合要求苛刻的测试和测量、自动化测试设备、国防电子产品、无线通信应用，充当传统 GaAs开关的更低成本替代产品。
HMC1118LP3DE SPDT开关的主要特性：
- 非反射式50欧姆设计
- 正控制：0/+3.3 V
- 低插入损耗： 0.68dB（8GHz时）
- 高隔离度： 50dB（8GHz时）
- 9KHz的低截止频率
- 7.5微秒的快速建立时间（对于0.05 dB的最终RF输出电平）
业界领先的高功率处理能力：
- 35.5 dBm的通过路径
- 27 dBm端接路径和热切换应用
高线性度：
- P1dB： +37 dBm（典型值）
- IIP3： +61 dBm（典型值）
ESD额定值：
- 2-KV HBM
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