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产品型号:NTMD6N03R2G
源漏极间雪崩电压VBR(V):30
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):32
最大漏极电流Id(on)(A):6
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):SOIC-8/-55 ~150
描述:30 V, 6 A,功率MOSFET
价格/1片(套):￥4.39
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