Intel和美光大方宣告进军QLC闪存（目前64层），从结构原理上讲，QLC闪存每单元可以保存4比特数据，相比TLC又多了三分之一，不过PE只有1000次，是TLC的1/3。当然，其好处是存储芯片的容量显著提升，也就是同容量对比TLC将有着足够竞争力的价格优势。在今天的存储活动中，Intel除了带来傲腾DC非易失性DDR4内存条产品，还公布了QLC SSD的更多进展。Intel透露，将在下半年面向消费级推出QLC SSD。从此前的爆料来看，可能会叫660p，采用M.2板型，走PCIe x2通道，最大容量2TB。
企业级领域，Intel的进展就更快了，包括将2.5寸QLC闪存SSD做到了20TB大小。看起来这应该是15mm厚的U.2接口NVMe产品，最终定位在DC P4510以下，后者目前提供8TB U.2接口的产品。
据悉，Intel自营的所有3D闪存生产如今都在大连Fab 68工厂完成，位于犹他的IM（Intel/Micron）Fab2则是全力生产3D Xpoint存储芯片。
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