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在今年已经搞出1亿像素传感器的三星并不打算停止他们刷高像素的步伐，在最近的IEDM 2019峰会上面，三星的一支团队介绍了他们正在将14nm FinFET工艺引入到未来的1.44亿像素传感器上。
目前相机中常见的CMOS感光传感器就是一种典型的半导体芯片，它可以接受光线并将其转换为电信号，一般在相机的CMOS元件上还会有内建的ADC，用于将电信号转换成数字信号，然后数字信号被送入其他处理器进行处理。因为它本质上就是一种半导体元件，所以自然就会受到半导体工艺制程的影响。不过它并不像拥有更高密度的CPU等复杂元件那样需要很新的制程工艺，目前你还能在CMOS传感器上面看到40nm、60nm等“老旧”的工艺。但是在感光层之下的信号处理器就不一样了，由于这里是帮助处理图像的地方，与各种处理器一样，它对制程工艺有一定的敏感度，在新工艺下它可以做到更低的工作功耗以节省电能。
不过最大的问题还是电压，CMOS传感器工作时需要一个较高的电压，这个电压值虽然在我们看来不是很高，但对于1Xnm制程下的半导体元件来说已经算是非常高的了，不过三星似乎是解决了这个电压难题，在原本用于SoC生产的14nm工艺基础上新开发了一种适用于CMOS传感器的工艺。
在新的工艺制程下面，传感器的整体功耗下降了非常多，尤其是数字处理这个对工艺更加敏感的部分，在1.44亿像素下面进行10fps的连拍时它最高可以节约42%的电能，对于功耗敏感的移动端来说是非常有意义的。
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