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飞兆半导体的 100V BOOSTPAK 解决方案优势

发布时间:2020-06-22 发布时间:
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    集成解决方案将 MOSFET 和二极管置于一个封装内,简化了电路板装配并节省了空间

    飞兆半导体公司(纽约证券交易所代号: FCS)是高性能功率半导体和移动半导体解决方案的全球领先供应商,通过引入 100 V BoostPak 设备系列优化 MOSFET 和二极管选择过程,将 MOSFET 和二极管集成在一个封装内,代替 LED 电视 / 显示器背光、LED 照明和 DC-DC 转换器应用中目前使用的分立式解决方案。

    通过将 MOSFET 和二极管集成到一个独立封装内,FDD1600N10ALZD和FDD850N10LD设备节省了电路板空间,简化了装配,降低了材料清单成本并改进了应用的可靠性。

    该元件的N沟道MOSFET采用飞兆半导体 PowerTrench®工艺生产,这一先进工艺专用于最小化导通电阻,同时保持卓越的开关性能。 NP二极管为超快速整流器,带低正向导通压降,具有出色的开关性能。 与肖特基二极管相比,其泄漏电流更低,改进了高温应用中的系统可靠性。

主要功能:

FDD1600N10ALZD:
• RDS(ON) = 124 mΩ(典型值)@ VGS = 10 V,ID = 3.4 A
• RDS(ON) = 175 mΩ(典型值)@ VGS = 5 V,ID = 2.1 A
• 低栅极电荷 = 2.78 nC(典型值)
• 低反向电容 (Crss) = 2.04 pF(典型值)

FDD850N10LD:
• RDS(ON) = 61 mΩ(典型值)@ VGS = 10 V,ID = 12 A
• RDS(ON) = 64 mΩ(典型值)@ VGS = 5.0 V,ID = 12 A
• 低栅极电荷 = 22.2 nC(典型值)
• 低反向电容 (Crss) = 42 pF(典型值)
都有:
• 快速开关
• 100%经过雪崩测试
• 可提高dv/dt处理能力
• 符合 RoHS 标准

报价:(订购 1,000 个)

FDD1600N10ALZD的价格为0.49美元。

FDD850N10LD的价格为0.57美元

可供貨期: 按请求提供样品。

交货期: 收到订单后 8-12 周内

飞兆半导体为所有电视和显示器应用,包括PDP 电视、LCD 电视和显示器,以及LED 电视和显示器提供功率和背光解决方案。 专为小空间应用设计的规格帮助设计师使其产品脱颖而出,同时还可提供较高的功率密度并维持高度可靠性。

 


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