一、概要 

STM8系列一般拥有如下几种三种数据区

用户启动区域(UBC)

数据EEPROM(DATA)

主程序区

选项字节(Option byte)

用户启动区域(UBC)包含有复位和中断向量表，它可用于存储IAP及通讯程序； 

数据EEPROM(DATA)区域可用于存储用户具体项目所需的数据； 

主程序区是指在FLASH程序存储器中用于存储应用代码的区域； 

选项字节用于配置硬件特性和存储器保护状态。

作为应用而言，一般主要使用EEPROM(DATA)，存放各种参数、或者离线数据、状态数据等等。 

下面以以STM8L052R8为例，简单说明对其的访问方法。

根据STM8L052R8的手册，其有Memory信息如下：

■ Memories 

– 64 KB Flash program memory and 256 bytes data EEPROM with ECC, RWW 

– Flexible write and read protection modes 

– 4 KB of RAM

可知其具有256字节的EEPROM。并带有ECC校验，和RWW(读同时写)功能。

RWW特性允许户在执行程序和读程序存储器时对DATA EEPROM区域进行写操作， 

因此执行的时间被优化了。相反的操作是不允许的：即不允许在写程序寄存器是对其进行读操作。 

RWW特性是一直有效的而且可以在任意时刻使用

对EEPROM编程也有如下几种方式，顾名思义，很容易理解其含义。 

字节编程方式最易于理解，也最简单。

字节编程

字编程

块编程

二、更深入的细节 

STM8系列有存储器存取安全系统(MASS)，在复位后，主程序和DATA区域都被自动保护以防止无意的写操作。 

在修改其内容前必须对其解锁，而解锁的机制由存储器存取安全系统(MASS)来管理。（UBC始终为写保护） 

因此写操作时需要先解除写保护，并在完成写入后恢复写保护（视应用而定）。

Unlock的具体操作是，向FLASH_DUKR寄存器连续写入两个被叫作MASS密钥的值：

第一个硬件密钥： 0b1010 1110 (0xAE)

第二个硬件密钥： 0b0101 0110 (0x56)

如果解锁成功，FLASH_IAPSR中的DUL位被置为1，表示成功。 

应用必须检测这个标志才可进行后续操作。 

（编程区与之类似，但写入的是PUKR，且2个密钥顺序相反）

对EEPROM的读写其实非常简单，就是直接对地址按字节进行赋值和取值。 

但是在操作后，需要等待其操作完成。判断方法是：

对于EEPROM（DATA）数据区：FLASH_IAPSR寄存器的HVOFF（高压结束标志位）变为1

对于编程区：FLASH_IAPSR寄存器的EOP（编程结束标志位）变为1

另外，试图向被保护页进行写操作时，会发生错误，此时FLASH_IAPSR得WR_PG_DIS标志位会置1。 

所以，最终的判断方法是： 

HVOFF或者WR_PG_DIS被置为1，前者为正常介绍，后者表示出错

三、示例代码

地址范围定义（读写范围为0~127字节）

#define DATA_MEMORY_START_ADDR (FLASH_DATA_EEPROM_START_PHYSICAL_ADDRESS)

#define DATA_MEMORY_STOP_ADDR  (FLASH_DATA_EEPROM_START_PHYSICAL_ADDRESS + 128)

初始化函数

void flash_init(void)

{

    // 设置编程时间，指定标准编程时间即可

    FLASH_SetProgrammingTime(FLASH_ProgramTime_Standard);

    // 解锁EEPROM区域（注意type是Data)

    FLASH_Unlock(FLASH_MemType_Data);

    // 等待解锁成功

    // 本质是判断FLASH->IAPSR寄存器的DUL标志位是否变为1。1表示写保护消除，0为保护中

    // 任何时候都可以通过变更此标志位为0来恢复写保护状态

    while (FLASH_GetFlagStatus(FLASH_FLAG_DUL) == RESET);

}

读函数

uint8_t flash_read(uint32_t FlashAddr, uint8_t *dest, uint8_t nbyte)

{

    uint8_t i = 0;

    // 越界判断

    if((FlashAddr < DATA_MEMORY_START_ADDR)||(FlashAddr+ nbyte > DATA_MEMORY_STOP_ADDR)) {

        return FALSE;

    }

    // 按字节读

    for(i=0; i

        *(dest+i)=FLASH_ReadByte(FlashAddr+i);

        // 等待操作完成，此处未处理错误

        FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_MemType_Data);

    }

    return nbyte;

}

写函数

uint8_t flash_write(uint32_t FlashAddr, uint8_t *source, uint8_t nbyte)

{

    uint8_t i = 0;

    // 越界判断

    if((FlashAddr < DATA_MEMORY_START_ADDR)||(FlashAddr+ nbyte > DATA_MEMORY_STOP_ADDR)) {

        return FALSE;

    }

    // 按字节写

    for(i=0;i

        FLASH_ProgramByte((FlashAddr+i),*(source + i));

        // 等待操作完成，此处未处理错误

        FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_MemType_Data);

    }

    return nbyte;

}

四、库函数实现解析

FLASH_Unlock函数

void FLASH_Unlock(FLASH_MemType_TypeDef FLASH_MemType)

{

  /* Unlock program memory */

  if(FLASH_MemType == FLASH_MemType_Program)

  {

    FLASH->PUKR = FLASH_RASS_KEY1;

    FLASH->PUKR = FLASH_RASS_KEY2;

  }

  /* Unlock data memory */

  // 连续两次赋值密钥（固定值）

  if(FLASH_MemType == FLASH_MemType_Data)

  {

    FLASH->DUKR = FLASH_RASS_KEY2; /* Warning: keys are reversed on data memory !!! */ /* 0xAE */

    FLASH->DUKR = FLASH_RASS_KEY1; /* 0x56 */

  }

}

FLASH_ReadByte、FLASH_ProgramByte、FLASH_EraseByte 

由下可知，读写擦出均为直接操作地址。

uint8_t FLASH_ReadByte(uint32_t Address)

{

  /* Read byte */

  return(*(PointerAttr uint8_t *) (MemoryAddressCast)Address);

}

void FLASH_ProgramByte(uint32_t Address, uint8_t Data)

{

  *(PointerAttr uint8_t*) (MemoryAddressCast)Address = Data;

}

void FLASH_EraseByte(uint32_t Address)

{

  *(PointerAttr uint8_t*) (MemoryAddressCast)Address = FLASH_CLEAR_BYTE; /* Erase byte */

}

FLASH_WaitForLastOperation 操作等待

FLASH_Status_TypeDef FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_MemType_TypeDef FLASH_MemType))

{

  uint16_t timeout = OPERATION_TIMEOUT;

  uint8_t flagstatus = 0x00;

  /* Wait until operation completion or write protected page occurred */

  // 程序区等待IAPSR的EOP或者WR_PG_DIS标识位被置为1

  if(FLASH_MemType == FLASH_MemType_Program)

  {

    while((flagstatus == 0x00) && (timeout != 0x00))

    {

      flagstatus = (uint8_t)(FLASH->IAPSR & (uint8_t)(FLASH_IAPSR_EOP |

                                                       FLASH_IAPSR_WR_PG_DIS));

      timeout--;       // 贴心的超时处理

    }

  }

  else

  {

   // 数据区的话，等待IAPSR的HVOFF或者WR_PG_DIS标识位被置为1

    while((flagstatus == 0x00) && (timeout != 0x00))

    {

      flagstatus = (uint8_t)(FLASH->IAPSR & (uint8_t)(FLASH_IAPSR_HVOFF |

                                                      FLASH_IAPSR_WR_PG_DIS));

      timeout--;        // 贴心的超时处理

    }

  }

  if(timeout == 0x00)

  { 

    // 超时

    flagstatus = FLASH_Status_TimeOut;

  }

  return((FLASH_Status_TypeDef)flagstatus);

}

以上，相比直接操作寄存器，用库做STM开发还是比较有效率的。