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Vishay Intertechnology, Inc.推出四款第五代高性能 45 V 和 100V 肖特基二极管 --- 6CWT04FN、10WT10FN、20CWT10FN 和 20WT04FN 。Vishay此次推出的器件将 D-Pak 的电流能力扩展至高达 20 A，从而确定了业界的新标准。这些器件采用次微米沟槽技术，适合用作高效率、高密度解决方案的独立封装，以及 D2-Pak 封装的低成本小型替代品。RBSOA 可实现紧凑、低成本设计。
6CWT04FN、10WT10FN、20CWT10FN 和 20WT04FN 具有达 +175°C 的最大结温、超低正向压降和低反向漏电流，确保设计人员可增加汽车、太阳能和其他高温应用中的功率密度。四款器件均可提供 I-Pak 版本。
日前发布的肖特基二极管在 6 A 和 20 A、+125°C 时最大典型正向压降低于 0.54 V（对于 45 V 器件），在 10 A 和 20 A 时最大典型正向压降低于 0.65 V（对于 100 V 器件）。45 V 二极管在 +125°C 时反向漏电流为 3 mA 和 7 mA ，而100 V 二极管为 4 mA，且参数分布非常紧凑。这些器件提供优化的 VF 与 IR 权衡，可实现更高的系统效率。
这些二极管已为交流到直流次级整流、反激式、降压与升压转换器、半桥、电池反接保护、续流、直流到直流模块及太阳能光伏发电旁路二极管应用进行了优化。典型的最终产品包括高功率密度 SMPS；台式电脑适配器；服务器；消费性电子产品，如 PDP、LCD 及高效音频系统；及笔记本电脑、手机及便携式媒体播放器等移动电子产品。这些二极管符合针对汽车驱动和控制装置的 AEC-Q101 标准。
45 V 和 100 V 器件分别具有 57 V 和 118 V 的典型稳定高击穿电压，可适应电压峰值并优化功率密度，在这些二极管中，功率密度均增加了 25%。这些器件坚固耐用，其抗反向雪崩能力提高了 30%，雪崩时元件可获得完全屏蔽，且开关损耗极小。
| 部件号 | IF (AV) (A) | @ TC (°C) | Vfm @ 125 °C (Typ) (V) | 反向漏电流 | EAS [mJ] | 最大结温[°C] | 封装 | |
| 在 25°C 时的典型值 (uA) | 在 125°C 时的典型值 (mA) | |||||||
| 6CUT04 | 2x3 A | 166 °C | 在 3 A 时 0.485 | 1 | 0.5 | 28 | 175 °C | I-Pak |
| 6CWT04FN | 2x3 A | 166 °C | 在 3 A 时 0.485 | 1 | 0.5 | 28 | 175 °C | D-Pak |
| 10UT10 | 1x10 A | 159 °C | 在 5 A 时 0.53 | 1.5 | 1 | 54 | 175 °C | I-Pak |
| 10WT10FN | 1x10 A | 159 °C | 在 5 A 时 0.53 | 1.5 | 1 | 54 | 175 °C | D-Pak |
| 20CUT10 | 2x10 A | 159 °C | 在 10 A 时 0.615 | 1.5 | 1 | 108 | 175 °C | I-Pak |
| 20CWT10FN | 2x10 A | 159 °C | 在 10 A 时 0.615 | 1.5 | 1 | 108 | 175 °C | D-Pak |
| 20UT04 | 1x20 A | 153 °C | 在 10 A 时 0.415 | 6 | 3 | 108 | 175 °C | I-Pak |
| 20WT04FN | 1x20 A | 153 °C | 在 10 A 时 0.415 | 6 | 3 | 108 | 175 °C | D-Pak |
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