1、简介

　　STM8S内部的FLASH程序存储器和数据EEPROM是由一组通用寄存器来控制的；所以我们可以通过这些通用寄存器来编程或擦除存储器的内容、设置写保护、或者配置特定的低功耗模式。我们也可以自己对器件的 option byte 进行编程。在这里我们只简单的讲解如何对STM8S内部的数据存储区域（data memory）进行写操作、读操作、擦除操作。

2、存储架构图

STM8S内部存储包括：FLASH程序存储器（FLASH program memory）和数据EEPROM（DATA EEPROM）；

（1）数据EEPROM又包括：

数据存储区域（DATA MEMORY）：指定从地址0x00 4000开始，其中包括 [1 block] 的option byte，数据存储区域用于存储应用数据；

（2）FLASH程序存储器又包括：

用户启动区域（USER BOOT CODE）：指定从地址0x00 8000开始，其中包括UBC option bytes和 [128 byte] 的中断矢量（interrupt vectors）；

程序存储区域（MAIN PROGRAM）：用于存储应用程序代码；

　　所以我们的操作是在DATA MEMORY里面，在该区域的指定地址进行读取内容、写入内容、擦除内容。

3、操作方法

（1）FLASH_ReadByte( ADDRESS )：读取地址ADDRESS处的1字节内容

（2）FLASH_ProgramByte( ADDRESS , DATA )：写1字节的内容到地址ADDRESS处

（3）FLASH_EraseByte( ADDRESS )：在地址ADDRESS处删除1字节的内容

4、操作步骤

使用操作前的配置

（1）配置选择编程时间，选择标准模式；

（2）解除数据存储区域的写保护；

说明：UBC和DATA MEMORY都有写保护，其中UBC的写保护是永远无法解锁的，而DATA MEMORY的写保护是可以通过连续写入两个MASS密钥值来解除该区域的写保护的；第一个密钥为0x56，第二个密钥为0xAE；只有当两个密钥输入正确（输入到寄存器FLASH_DUKR中）且输入密钥的先后顺序正确时，才会解除写保护；否则该区域在下一次系统复位之前都将一直保持写保护状态。

（3）读取、写入、擦除等操作；

5、代码实现

 1 /* Includes ------------------------------------------------------------------*/

 2 #include "stm8s.h"

 3 

 4 /* Private typedef -----------------------------------------------------------*/

 5 typedef enum { FAILED = 0, PASSED = !FAILED} TestStatus;

 6 

 7 /* Private variables ---------------------------------------------------------*/

 8 __IO TestStatus OperationStatus;

 9 

10 

11 /**

12   * @brief How to Read / Write / Erase one Byte on FLASH memory.

13   * @par   Examples description

14   *        - Read one byte at address 0x40A5

15   *        - Write its complement value at address + 1

16   *        - Check programed value

17   *        - Erase 2 byte (address 40A5 & 40A6)

18   *        - Check the 2 bytes value is 0x00.

19   * @param  None

20   * @retval None

21   */

22 void main(void)

23 {

24 

25     uint8_t val = 0x00, val_comp = 0x00;

26     uint32_t add = 0x00;

27 

28     /* Define FLASH programming time */

29         //Standard programming time fixed at 1/2 tprog

30     FLASH_SetProgrammingTime(FLASH_PROGRAMTIME_STANDARD);

31 

32     /* Unlock Data memory */

33         //compare to two hardware key value: 0x56 and 0xAE

34     FLASH_Unlock(FLASH_MEMTYPE_DATA); 

35 

36     /* Read a byte at a specified address */

37     add = 0x40A5;

38         //read one byte from the address

39     val = FLASH_ReadByte(add); 

40 

41     /* Program complement value (of previous read byte) at previous address + 1 */

42     val_comp = (uint8_t)(~val);

43         //modify one byte at the address

44     FLASH_ProgramByte((add + 1), val_comp); 

45 

46     /* Check program action */

47     val = FLASH_ReadByte((add + 1));

48     if (val != val_comp)

49     {

50         /* Error */

51         OperationStatus = FAILED;

52         /* OperationStatus = PASSED, if the data written/read to/from DATA EEPROM memory is correct */

53         /* OperationStatus = FAILED, if the data written/read to/from DATA EEPROM memory is corrupted */

54         while (1)

55         {

56         }

57     }

58 

59     /* Erase byte at a specified address & address + 1 */

60         //erase one byte at the address

61     FLASH_EraseByte(add);

62     FLASH_EraseByte((add + 1));

63     /* Erase action */

64     val = FLASH_ReadByte(add);

65     val_comp = FLASH_ReadByte((add + 1));

66     if ((val != 0x00) & (val_comp != 0x00))

67     {

68         /* Error */

69         OperationStatus = FAILED;

70         /* OperationStatus = PASSED, if the data written/read to/from DATA EEPROM memory is correct */

71         /* OperationStatus = FAILED, if the data written/read to/from DATA EEPROM memory is corrupted */

72         while (1)

73         {

74         }

75     }

76 

77     /* Pass */

78     OperationStatus = PASSED;

79     /* OperationStatus = PASSED, if the data written/read to/from DATA EEPROM memory is correct */

80     /* OperationStatus = FAILED, if the data written/read to/from DATA EEPROM memory is corrupted */

81     while (1)

82     {

83     }

84 }

FLASH