EEPROM和FLASH基本都是非易失性存储器。EEPROM应属于数据存储器，但是它制造工艺和FLASH更近似。FLASH是用于存储程序代码的，有些场合也可能用它来保存数据，当然前提是该单片机的FLASH工艺是可以自写的（运行中可擦写），但要注意FLASH的擦写次数通常小于一万次，而且通常FLASH只能按块擦除。EEPROM不能用来存程序，通常单片机的指令寻址不能到这个区域。EEPROM的擦写次数应有百万次，而且可以按字节擦写。

2.因为程序存储器和数据存储器是独立编址的，访问的时候可以采用不同的指令和不同的选通信号来区分。

第一，单片机采用三总线结构传递数据。地址总线、数据总线、控制总线。传递数据的过程是先寻址，再传递数据。即先送一个地址信息(由微处理器向总线写一个地址信息)，由寄存器（也可能是程序存储器，也可能是数据存储器）根据这个地址，把微处理器要读取的数据写到总线上，微处理器再读取这个数据。整个过程由控制总线控制。所以每次读的数据是针对那个地址对应的寄存器操作的，不会发生混乱。写数据时一样，先寻址，再写数据，数据就写入刚才寻址时的地址对应的那个寄存器里去了。 第二、程序存储器、数据存储器有不同的选通信号，在一个指令周期里，是不同的时间选通的，所以不会混乱。 第三。选通的引脚不同。拿片外数据存储器来说，是P3的第6和第7引脚做选通信号，程序存储器是PSEN做选通信号，他们接在各自器件的选通引脚上，所以不会混乱。 第四，指令不同。拿汇编指令来说。MOV是程序存储器传递数据用，MOVX是数据存储器传递数据用（对片外而言）。 总之，记住三总线传递的方式，先寻址，再传数，由控制总线控制，这个模式，你就容易理解这个了。 单片机的p2和p0分别传递地址的高八位和低八位。同时p0还传递数据。在时序信号的ALE高电平期间，锁定地址信息。/PSEN是选通程序存储器的。在/PSEN低电平期间是向程序存储器传递程序代码，/WR和/RD是选通数据存储器的，即在/WR和/RD（p3的六脚和七脚）低电平期间把数据传递给数据寄存器。而/PSEN和/WR及/RD是在不同时间变为低电平的，没有重叠的部分。也就是说，当/WR及/RD变成低电平时，/PSEN已经恢复高电平了，由P0口传出的数据信息当然只会传到数据存储器里，因为程序存储器已经不再处于选通状态了！！从表面看，都是从p0口传出的，但因为选通器件的时间不同而不会发生混乱。当然我说的是片外程序存储器和数据存储器的的情况，其实对片内也一样，还是三总线的这种控制方式，使它们在不同的时间被选通，而不至于发生冲突。 看看单片机的一个电路图。你会发现p0既跟74LS373连，又跟8155或8255或键盘或数模转换器等等连。而8155或8255或键盘或数模转换器等等对单片机而言是当做数据存储器处理的。74LS373连的多半是程序存储器。那么p0送出的信号不是两者都接受了吗？注意看ALE接74LS373的G接口，锁存地址用，PSEN有时用有时不用。WR和RD接数据存储器的选通接口。因为WR和RD跟ALE的信号在时间上没有重叠部分，所以p0的信号不会被程序存储器和数据存储器同时收到。