APP下载
登录
这一整合让嵌入式存储器速度更快、散热更低、设计更简单
中国，2013年11月20日 ——横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics，简称ST;纽约证券交易所代码：STM)宣布与 Memoir Systems合作开发出革命性的算法内存技术(Algorithmic Memory Technology)。新技术将用于制造采用全耗尽型绝缘层上硅(FD-SOI，fully-depleted silicon-on-insulator)技术的专用集成电路(ASIC，application-specific integrated circuits)和系统芯片(SoCs，Systems on Chips) 的内部存储器。
当集成到采用FD-SOI技术的产品时，Memoir Systems的算法存储器没有损失任何性能，这归功于 FD-SOI在功耗和性能上的优势 。此外，FD-SOI的极低软错误率 结合超低泄漏电流对于包括网络、交通、医疗和航空等关键应用意义重大。
意法半导体设计支持和服务执行副总裁Philippe Magarshack表示：“就FD-SOI工艺本身而言，FD-SOI配备了ASIC和SoC设计工具，与其它制造工艺相比，它可实现速度更快，散热更低。而且增加了Memoir Systems的知识产权后，我们把FD-SOI产品变得更具吸引力，并展示了其简单的移动特点。”
Memoir Systems共同创办人兼首席执行官Sundar Iyer表示：“我们专注于突破存储器技术，实现更短的设计周期和极高的性能，这使我们的同类最优的算法存储技术能够嵌入FD-SOI平台，这对于我们和客户都具有重要意义。简单的移动特点结合有目共睹的优异性能证实，FD-SOI可实现速度更快、散热更低、设计更简单。”
作为领先的ASIC生产厂商，意法半导体率先推出了突破性的全耗尽型绝缘层上硅(FD-SOI)制造工艺，扩展和简化了现有平面体硅制造工艺。FD-SOI晶体管提高了静电特性，缩短了沟道长度，因此工作频率高于采用传统CMOS制造的晶体管。
热门文章
