美国俄勒冈州希尔斯波罗市 2011年4月4日  莱迪思半导体公司今日宣布MachXO2™LCMXO2 – 1200器件已合格并投产。LCMXO2 - 1200是MachXO2 PLD系列六个成员之一，为低密度PLD设计人员提供前所未有的在单个器件中具有低成本、低功耗和高系统集成的特性。LCMXO2 - 1200器件采用低功耗65纳米工艺制造，具有1280查找表（LUT），并提供静态功耗低至70uW。这些器件具有丰富的功能集，包括嵌入式存储器、锁相环、用户闪存（UFM），以及一些深受欢迎的功能，如已固化在器件中的I2C、SPI和定时器/计数器。

    “自 MachXO2系列在市场上推出后，我们很高兴能在短短四个月的时间达到这个重要阶段，”低密度解决方案的高级产品营销经理Shantanu Dhavale说道。 “超低功耗与具有差异化和独特的产品功能集相结合呈现具有竞争力的价格，正在推动各种终端市场的数百家用户对MachXO2器件进行快速评估，这些终端市场包括消费电子、通信、计算、工业和医疗设备。”   

    产品选择具有最大的灵活性
  
    LCMXO2 - 1200器件提供两种选择。 LCMXO2 - 1200ZE器件用额定1.2V的电源工作，并支持高达60MHz的系统性能。功耗低至70uW和封装为2.5mmx2.5mm的 MachXO2 - 1200ZE器件为成本敏感，低功耗的消费电子设计应用进行了优化，如智能电话，GPS设备和PDA。

    LCMXO2 - 1200HC器件用额定3.3V或2.5V的电源工作，并支持高达150MHz的系统性能。提供多达207个用户I / O和强大的设计解决方案（瞬时启动、非易失性、输入滞后和单芯片），这些器件非常适用于终端市场中的控制应用，如电信基础设施、计算、工业和医疗设备。

    关于MachXO2 PLD系列

    MachXO2器件为低密度PLD的设计人员提供了在单个器件中具有前所未有的低成本，低功耗和高系统集成的特性。与前一代MachXO™ PLD系列相比，MachXO2系列采用嵌入式闪存技术的低功耗65纳米工艺，提供了3倍的逻辑密度、10倍的嵌入式存储器、降低了100倍以上的静态功耗，低至19uW，并减少了高达30％的成本。这些器件非常适合在终端市场的控制PLD的应用，如电信基础设施、计算、高端产业、高端医疗设备，以及低功耗的应用，如智能手机、GPS设备和数码相机。