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该寄存器包含有ALU的算术状态位,RESET状态位、大于512字节程序存储器的页面预选位。
状态寄存器f3可以用作目标寄存器。某些标志位通过相应的写来设定,而另外一些位是不能通过指令来改变的。TO、PD位是不可写的。因此一条指令对状态寄存器执行的结果会有所不同。例如CLR f3被除了TO和PD位之外的所有位清“0”,并把“Z”位置“1”,所以得到的状态寄存器内容为“000UU100”,其中,U表示不变化。
建议用BCF、BSF或MOVWF指令来改变状态寄存器的内容,这些指令只改变相应的位,而不影响其它状态位。
其它影响状态位的指令可参考指令系统的说明。
状态寄存器包含8位数据位,其中低5位是状态标志位,高3位中的最高位PA2未用。PA0和PA1是存储器页面选择位,其结构如下表所示。
| 表1 状态寄存器的结构 | |||||||
| PA2 | PA1 | PA0 | TO | PD | Z | DC | C |
| D7 | D6 | D5 | D4 | D3 | D2 | D1 | D0 |
| 下面我们介绍各位的意义。 [1].C(D0)：进位/借位标志位。在执行ADDWF和SUBWF指令时,最高位产生进位或借位时,C=“1”,在减法采用补码运算。 [2].DC(D1)：辅助进位位。当执行ADDWF和SUBWF指令时,低4位产生进位或借位时,DC=“1”。 [3].Z(D2)：零标志位。当算术操作结果为0时,Z="1"。 [4].PD(D3)：低功耗标志位。上电或执行CLR WDT指令时,PD=“1”。执行SLEEP指令时,PD=“0”。 [5].TO(D4)：WDT溢出标志位。当上电或执行CLR WDT、SLEEP指令时,TO=“1”,WDT溢出时,TO=“0”。 [6].PA0,PA1(D5,6)：程序存储器页面选择位。对于PIC16C56单片机,PA0是程序存储器页面选择位。PA1是通用读写位。在PA=0时,选择0页面,即000H-1FFH。PA0=1时,选中1页,地址为200H-3FFH。 对于PIC16C57/58单片机,PA0、PA1是程序存储器页面选择位。它们的值从00-11H分别选中0-3页,即地址为000-1FFH、200H-3FFH、400H-5FFH、600H-7FFH。 [7].PA2(D7)：通用读写位,未使用。 在复位时,PA2,PA1,PA0被清“0”,上电或执行CLR WDT指令时,TO、PD都被置“1”,这两位的变化如表2所示。上电复位时,Z、DC、C标志位状态不定。在其它复位情况下（如WDT溢出）Z、DC、C状态不变。上电复位TO、PD的状态见表3。 |
| 表2 事件对TO、PD标志位的影响 | |||
| 事件 | TO | PD | 说明 |
| 上电 | 1 | 1 | 不影响PD标志位 |
| WDT超时溢出 | 0 | X | |
| SLEEP指令 | 1 | 0 | |
| CLR WDT指令 | 1 | 1 | |
| 表3 复位后TO、PD标志位的状态 | |||
| TO | PD | 复位原因 | |
| 0 | 0 | WDT超时溢出使SLEEP唤醒 | |
| 0 | 1 | WDT超时溢出（不在SLEEP状态时） | |
| 1 | 0 | MCLR加低电平使SLEEP唤醒 | |
| 1 | 1 | 上电时 | |
| X | X | MCLR加低电平 | |
| ADDWF指令后,进位位C=1表示产生进位,执行SUBWF指令后,进位位C=0表示借位,执行ADDWF或SUBWF指令也将影响辅助进位位DC状态。DC表示低半字节到高半字节的进位和借位。 |
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