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环绕闸极技术让台积电2nm越来越近

发布时间：2022-05-31

台积电冲刺先进制程.在2纳米研发有重大突破.已成功找到路径.将切入GAA(环绕闸极)技术.为台积电发展鳍式场效电晶体(FinFET)取得全球绝对领先地位之后.迈向另一全新的技术节点.尽管劲敌三星已早一步切入GAA ...<全部>

半导体生产

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三星GAA技术叫板台积电.台湾专家却称其只是[唬人"而已

发布时间：2021-11-17

与非网8月14日讯.此前在日本东京的晶圆代工论坛上.三星电子展示了其先进制程技术.并提供用于生产3nm以下芯片.名为[环绕闸极"(GAA)技术的制程套件.三星称在GAA技术上.其领先全球晶圆代工龙头台积电一年.更超前英特尔(Intel)两到三年.但是近期这个言论却被台湾专家[喷了". ...<全部>

EDA

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针对3-5纳米节点复旦学者实现围栅多桥沟道晶体管技术

发布时间：2021-09-14

与非网12月18日讯复旦大学官方消息显示.近日.复旦大学微电子学院教授周鹏团队针对具有重大需求的3-5纳米节点晶体管技术.验证了双层沟道厚度分别为0.6 /1.2纳米的围栅多桥沟道晶体管(GAA.Gate All Around).实现了高驱动电流和低泄漏电流的融合统一.为高性能低功耗电子器件的发展提供了新的技术途径. ...<全部>

电源

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泛林Dr.Nerissa Draeger:GAA结构将取代FinFET

发布时间：2021-07-07

FinFET在22nm节点的首次商业化为晶体管--芯片[大脑"内的微型开关--制造带来了颠覆性变革.与此前的平面晶体管相比.与栅极三面接触的[鳍"所形成的通道更容易控制.但是.随着3nm和5nm技术节点面临的难题不断累积.Fi ...<全部>

半导体生产

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FinFET
GAA

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3nm.5nm制程:复杂且昂贵的争夺战(一)

发布时间：2020-12-22

翻译自--semiengineering 半导体工艺在进入14nm/16nm制程之后.最经常被提到就是鳍式场效应晶体管(FinFET).它的出现满足了7nm至14nm之间的工艺制造.不过在进入更小的5nm.甚至3nm之后.FinFET工艺已经难以满足半导 ...<全部>

半导体生产

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全新GAA技术是否能成为突破5nm的利器?

发布时间：2020-05-29

半导体工艺发展是一个永恒的话题.从摩尔定律诞生之后.半导体产品技术的发展.性能的进步和普及速度的快慢.最终几乎都和工艺相关.没有好的工艺.半导体产业几乎无法快速前行.不过.近期随着工艺快速进步.技术难 ...<全部>

半导体生产

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半导体
GAA

114

GAA晶体管技术的奥秘.它能否替代FinFET

发布时间：2024-11-03

半导体技术发展史的本质就是晶体管尺寸的缩小史.从上世纪七十年代的10微米节点开始.遵循着摩尔定律一步一步走到了今天的5纳米.在这一过程中.每当摩尔定律遭遇困境.总会有新的技术及时出现并引领着摩尔定律继续 ...<全部>

半导体生产

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FinFET
GAA

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