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三星首次展示采用3nm工艺制造的芯片.采用GAAFET技术

 发布时间：2021-09-15
近日.三星在IEEE ISSCC国际固态电路大会上首次展示采用3nm工艺制造的芯片.三星在3nm工艺上第一次应用GAAFET(环绕栅极场效应晶体管)技术.相比现在的FinFET立体晶体管再次实现了晶体管结构的突破. ...<全部>
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