与非网3月15日讯，近日，三星在IEEE ISSCC国际固态电路大会上首次展示采用3nm工艺制造的芯片。三星在3nm工艺上第一次应用GAAFET(环绕栅极场效应晶体管)技术，相比现在的FinFET立体晶体管再次实现了晶体管结构的突破。

 

据了解，GAAFET技术分为两种类型，一种是常规的GAAFET ，使用纳米线(nanowire)作为晶体管的鳍(fin)，第二种就是 MBCFET (多桥通道场效应晶体管)，使用的鳍更厚更宽一些，称之为纳米片(nanosheet)。

 

三星的第一颗3nm SRAM芯片用的是MBCFET技术，容量256Mb，面积56平方毫米，最大优势就是其超低功耗，写入电压只需要区区0.23V，这都是源于MBCFET的多种省电技术。

 

三星宣称，3GAE工艺相比于其7LPP，可将晶体管密度增加最多80％，性能提升最多30％，或者功耗降低最多50％。据说MBCFET有多种省电技术，写入电流只需要0.23V就能实现。

 

据悉，三星3nm预计明年投入量产，但尚未公布任何客户。

 

另外，台积电的3nm工艺将在今年下半年开始试产。近年来，三星和台积电在先进工艺制程方面的竞争愈发激烈。虽然三星一直处于落后于台积电的位置，但也在不停追赶。

 

在3nm工艺方面，台积电仍是坚持使用FinFET技术，但三星却选择了向纳米片晶体管过渡。根据台积电数据，3nm虽然继续使用FinFET晶体管，但是相比于5nm晶体管密度增加70％，性能可提升11％，或者功耗可降低27％。

 

从三星3GAE工艺推出的时间节点来看，三星和台积电无疑将在2022年，针对3nm先进工艺，展开更为激烈的比拼。