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MM3Z3V0T1G的技术参数

 发布时间：2021-07-13
产品型号:MM3Z3V0T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):2.800齐纳击穿电压Vz典型值(V):3齐纳击穿电压Vz最大值(V):3.200@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):100最大功率PMax(W):0.200芯片标识:2封装/温度(℃):SOD323/-65~150价格/1片(套) ...<全部>
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